BSM25GD120DLCE3224 1200V/25A módulo IGBT configuração dupla baixo VCE ((sat) Alta velocidade de comutação baixa perda incorporada NTC base isolada de grau industrial para UPS e inversores solares
Características
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Nomenclatura de tensão/corrente:1200 V / 25 A
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Configuração:IGBT duplo
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Voltagem de saturação baixa:VCE (sat) para alta eficiência.
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Comutação de alta velocidade:Baixas perdas de comutação.
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Baixa perda de energia:Otimizado para a eficiência geral do sistema.
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Termistor NTC integrado:Para monitorização e protecção térmica.
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Base isolada:Simplifica a montagem do dissipador de calor e melhora a segurança.
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Confiabilidade industrial:Projetado para uma longa vida útil.
Aplicações
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Inversores solares:Utilizado na fase de conversão de energia dos sistemas fotovoltaicos residenciais e comerciais.
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Fornecedores de energia ininterruptíveis (UPS):Empregado na secção de inversores de sistemas UPS online e line-interactive.
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Motores motrizes industriais:Para controlar motores AC em bombas, ventiladores e compressores.
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Equipamento de solda:Fornece o núcleo de comutação para máquinas de solda industrial.
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Aquecimento por indução:Utilizado nos circuitos de energia dos sistemas de aquecimento por indução e de fusão.
Descrição
O BSM25GD120DLCE3224 é um módulo IGBT duplo de alto desempenho, classificado para 1200V e 25A. Ele é projetado para oferecer alta eficiência e confiabilidade em aplicações exigentes de conversão de energia.O módulo possui uma baixa tensão de saturação colector-emissor (VCE(sat)) e é otimizado para comutação de alta velocidade, resultando em baixas perdas de comutação e condução.
Este módulo robusto inclui um termistor NTC incorporado para monitoramento e proteção precisos da temperatura e apresenta uma base isolada para fácil e segura montagem em um disipador.A sua construção industrial garante estabilidade e desempenho a longo prazo, tornando-a uma solução durável para uma ampla gama de eletrónica de potência.
Informações
| Fabricante: |
Infineon |
| Categoria do produto: |
Módulos IGBT |
| Produto: |
Modulos de Silício IGBT |
| Configuração: |
Hex. |
| Voltagem do colector-emissor VCEO Max: |
1200 V |
| Voltagem de saturação do colector-emissor: |
2.1 V |
| Corrente contínua do colector a 25 °C: |
50 A |
| Corrente de fuga do emissor da porta: |
400 nA |
| Pd Dissipação de energia: |
200 W |
| Temperatura de funcionamento mínima: |
40 C |
| Temperatura máxima de funcionamento: |
+ 125 C |
| Altura: |
17 mm |
| Duração: |
107.5 mm |
| Largura: |
45 mm |
| Marca: |
Tecnologias Infineon |
| Estilo de montagem: |
- Vai-te lixar. |
| Voltagem máxima do emissor da porta: |
+/- 20 V |
| Tipo de produto: |
Módulos IGBT |
| Subcategoria: |
IGBTs |
Desenho
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