SK70KQ16 1600V 70A Módulo IGBT Rápido Baixo Vce (sat) 2.3V Desligamento rápido Diodo de recuperação macio Alta temperatura 150 °C Baixa perda Alta densidade de potência Para UPSs e inversores compactos
Características
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Design compacto
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Instalação de um parafuso
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Transferência e isolamento de calor através de cerâmica de óxido de alumínio ligada directamente ao cobre (DBC)
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Fichas de tiristores passivos de vidro
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De potência não superior a 600 V
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UL reconhecido, número de processo E 63 532
Aplicações
Descrição
O...SK70KQ16é um módulo de alimentação IGBT de alta tensão e comutação rápida, concebido para sistemas de conversão de energia eficientes e compactos, que combina uma tensão de bloqueio de 1600 V com uma corrente nominal de 70 A,com tecnologia IGBT "Quick" avançada que proporciona uma baixa tensão de saturação colector-emissor (Vce(sat)) para redução das perdas de condução e comutação rápida de desligamento para baixas perdas de comutaçãoÉ emparelhado com um diodo de recuperação suave anti-parallel freewheeling para minimizar picos de tensão e interferência eletromagnética (EMI).Este equilíbrio otimizado de baixas perdas permite frequências de comutação mais elevadas, contribuindo para uma maior densidade de potência e um tamanho do sistema menor.
Informações
| Corrente (A) |
72 A
|
| Dimensões (LxWxH) |
31x24x12
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| Características |
- Design compacto
- Modulo de montagem de um parafuso
- Transferência de calor e isolamento através de cerâmica de óxido de alumínio ligada diretamente ao cobre (DBC)
- Módulo de tiristor antiparallel
- De potência não superior a 600 V
- UL reconhecido, número de processo E 63 532
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| Habitação |
SEMITOP 1
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| Número da parte legada |
24302506
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| Linha de produtos |
SEMITOP
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| Estatuto do produto |
Em produção
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| Corrente de sobretensão (A) |
900 A
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| Tecnologia |
Tiristor / Diodo
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| Topologia |
Tiristor
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| Tipo |
SEMITOP 1
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| Aplicações típicas |
- Circuito de retificação controlado
- Relais de estado sólido
- Iniciação suave
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| Voltagem (V) |
De potência
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Desenho
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