SEMIX603GB12E4P 1200V 600A módulo IGBT baixo Vce (sat) alto curto-circuito robustez baixa perda de comutação alto isolamento industrial para UPS de alta potência e unidades industriais

SEMIX603GB12E4P 1200V 600A módulo IGBT baixo Vce (sat) alto curto-circuito robustez baixa perda de comutação alto isolamento industrial para UPS de alta potência e unidades industriais

Características

• Homogéneo Si

• Trench = Tecnologia Trenchgate

• Alta capacidade de curto-circuito

• Pins de prensagem como contatos auxiliares

• Cerâmica otimizada termicamente

Aplicações

• Dispositivos de inversor AC

• UPS

• Sistemas de energia renovável

Descrição

O...SEMIX603GB12E4PÉ um módulo IGBT de alta potência e alta corrente concebido para sistemas industriais de conversão de potência exigentes que requerem um manuseio de corrente substancial.Oferece uma tensão nominal de 1200V combinada com uma corrente nominal muito alta de 600AUtilizando tecnologia avançada IGBT e chip de diodo,alcança um excelente equilíbrio entre a baixa tensão de saturação colector-emissor (Vce ((sat)) para reduzir as perdas de condução e as características de comutação otimizadas para alta eficiênciaO módulo é construído para a máxima robustez industrial, com alta capacidade de resistir a curto-circuito, excelente isolamento elétrico e uma eficiência térmica,Projeto de embalagem de baixa indutividade para garantir uma operação fiável e estável em condições de alto esforço.

Informações

Desenho

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