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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Tipo: | MÓDULO IGBT | Pacote: | novo e originalF00R12KT4: Módulo IGBT 1200V 200A, baixo VCE (sat), alta robustez em curto-circuito, |
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| Doença: | Novo e Original | Status livre de chumbo: | Compatível com RoHS |
| Envio por: | DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post,DHL,UPS,Fedex e EMS |
Módulo IGBT PIM FP75R12KT4 B16 1200V 150A Trench Field Stop Baixo VCE(sat) 2.25V Retificador Integrado e NTC Placa de Cobre Operação a 150°C Para Drives de Motor e UPS
Características
Módulo Integrado de Potência (PIM) de 1200V / 150A
Topologia Integrada: Retificador Trifásico, Inversor Trifásico, Chopper de Freio
IGBT4 TRENCHSTOP™ Avançado com Tecnologia Trench Field Stop
Baixas Perdas de Comutação para Alta Eficiência
Baixo VCE(sat) de 2.25V @ 15V, 75A
Placa de Cobre para Espalhamento de Calor Otimizado
Sensor de Temperatura NTC Integrado
Faixa de Temperatura de Operação: -40°C ~ 150°C
Invólucro Compacto EconoPIM™ 3 com Montagem em Chassi
Aplicações
Drives de Motor Industriais: Para bombas, ventiladores, compressores e drives AC de uso geral
Fontes de Alimentação Ininterrupta (UPS)
Drives de Frequência Variável (VFD) e Inversores
Sistemas HVAC e automação industrial
Descrição
O FP75R12KT4 B16 é um Módulo Integrado de Potência (PIM) altamente integrado de 1200V, 150A da família EconoPIM™ 3 da Infineon. Ele combina uma ponte retificadora trifásica, uma ponte inversora IGBT trifásica e um chopper de freio em um único módulo compacto e isolado. Construído com a tecnologia avançada TRENCHSTOP™ IGBT4 com estrutura Trench Field Stop, ele é projetado para baixas perdas de comutação e alta eficiência. O módulo atinge uma baixa tensão de saturação coletor-emissor de 2.25V típica a 75A, aumentando a eficiência energética. Ele possui um sensor de temperatura NTC integrado para monitoramento térmico preciso e uma placa de cobre para dissipação de calor otimizada. Projetado para alta confiabilidade, ele suporta uma temperatura de operação estendida de até 150°C
INFORMAÇÃO
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categoria
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Produtos semicondutores discretos
Transistores
IGBT
Módulo IGBT
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fabricante
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Infineon Technologies
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série
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EconoPIM™ 3
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Embalagem
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Bandeja
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Status da peça
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À venda
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Tipo de IGBT
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Corte de campo ranhurado
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configuração
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(3) Instrumento de fase oposta
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Tensão - Ruptura do coletor (máx.)
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1200 V
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Corrente - Coletor (IC) (máx.)
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150 A
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Potência - máxima
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385 W
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Vce(on) (máximo) em diferentes Vge, IC
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2.25V @ 15V,75A
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Corrente - Corte do coletor (máx.)
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1 mA
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Capacitância de entrada (Cies) em diferentes VCEs
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4.3 nF @ 25 V
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Entrada
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Retificador de ponte trifásica
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Termistores NTC
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é
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Temperatura de operação
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-40°C ~ 150°C
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Tipo de montagem
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Montagem em base
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Pacote/Invólucro
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módulo
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Pacotes de dispositivos do fornecedor
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módulo
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Desenho
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