FPS0R12W2T7 1200V módulo IGBT 2 em 1 tecnologia de parada de campo de trincheira VCEsat Diodo de recuperação rápida VCEsat baixo Diodo integrado NTC de isolamento alto Indutividade baixa robusta e eficiente para acionamentos de motores

FPS0R12W2T7 1200V módulo IGBT 2 em 1 tecnologia de parada de campo de trincheira VCEsat Diodo de recuperação rápida VCEsat baixo Diodo integrado NTC de isolamento alto Indutividade baixa robusta e eficiente para acionamentos de motores

Características

• Características elétricas

• - VCES = 1200 V

• - IC nom = 50 A / ICRM = 100 A

• - VCE baixo, satélite.

• - TRENCHSTOPTM IGBT7

• - Operação de sobrecarga até 175°C

• Características mecânicas

• - Substrato de Al2O3 com baixa resistência térmica

• - Tecnologia de contacto PressFIT

• - Isolamento de 2,5 kV AC 1 minuto

• - Design compacto

• - Alta densidade de potência

Aplicações

• Motores de tração

• Inversores auxiliares

• Ar condicionado

Descrição

OFPS0R12W2T7é um módulo de potência de 1200 V (0,12 kV) de alto desempenho da Infineon Technologies, pertencente àFamília de IGBTs Field Stop TrenchFoi concebido para proporcionar uma elevada eficiência e fiabilidade em aplicações industriais de conversão de energia.

Informações

Desenho

A nossa vantagem:telemóveis, PDAs e computadores portáteis

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Lista de produtos
Fornecer uma série de componentes eletrônicos, gama completa de semicondutores, componentes ativos e passivos. Podemos ajudá-lo a obter tudo para bom do PCB, em uma palavra, você pode obter uma solução única aqui,


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Circuito integrado, ICs de memória, Diodo, Transistor, Capacitor, Resistor, Varistor, Fuse, Trimmer e Potentiometer, Transformador, Bateria, Cable, Relay, Switch, Connector, Terminal Block,Cristal e amplificadorOscilador, Indutor, Sensor, Transformador, Condutor IGBT, LED, LCD, Convertidor, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte em Marca:
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