SKM75GB128DN 1200V, 75A Módulo IGBT Duplo VCE baixo (sat) 1.9V Comutação rápida Diodo integrado 10μs SC Capacidade SEMITOP2 Pacote Press-Fit Pins UL Certificado para acionamentos e inversores

SKM75GB128DN 1200V, 75A Módulo IGBT Duplo Baixa VCE(sat) 1.9V Comutação Rápida Diodo Integrado Capacidade SC de 10µs Pacote SEMITOP2 Pinos Press-Fit Certificado UL para Drives e Inversores

Características

• Tensão coletor-emissor de 1200V (V CES) com corrente de coletor contínua de 75A

• Baixa tensão de saturação (VCE(sat)) para perdas de condução reduzidas

• Capacidade de comutação rápida com baixas perdas de ligar e desligar: Eon 5.7mJ, Eoff 4.7mJ (típico)

• Tecnologia de diodo CAL com tempo de recuperação reversa rápido (~200ns) para retificação eficiente

• Capacidade de suportar curto-circuito de 10µs a 150°C para robustez aprimorada

• Pacote isolado SEMITRANS™ 2N com substrato cerâmico de alta condutividade térmica

• Reconhecido pela UL para padrões de segurança industrial

• Ampla faixa de temperatura operacional: -40°C a +150°C

Aplicações

• Drives de motor AC e inversores industriais

• Fontes de Alimentação Ininterrupta (UPS)

• Fontes de alimentação chaveadas de alta frequência e conversores

• Equipamentos de soldagem e sistemas de aquecimento por indução

• Inversores solares e sistemas de energia renovável

• Automação industrial e drives de servo

Descrição

O SKM75GB128DN é um módulo de potência IGBT duplo de 1200V, 75A da SEMIKRON, parte da série SEMITRANS™ 2N com tecnologia IGBT SPT (Soft Punch Through). Ele integra dois IGBTs com diodos CAL (Controlled Axial Lifetime) conectados reversamente em um pacote isolado compacto projetado para aplicações de comutação de alta frequência de até 40kHz. O módulo apresenta um substrato cerâmico de cobre de ligação direta para excelente desempenho térmico e é reconhecido pela UL

INFORMAÇÃO

Desenho

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