SKM400GB12T4 1200V 400A Módulo IGBT Duplo TRENCHSTOPTM IGBT4 VCE baixo (sat) 1.75V 10μs SC Capacidade CAL Diodo Perdas de comutação baixas SEMITRANS3 UL Certificado para unidades de alta potência

SKM400GB12T4 1200V 400A Módulo IGBT Duplo TRENCHSTOP™ IGBT4 Baixo VCE(sat) 1.75V 10μs Capacidade SC CAL Diodo Baixas Perdas de Comutação SEMITRANS3 Certificado UL para Acionamentos de Alta Potência

Características

• Tensão coletor-emissor de 1200V (VCES) com corrente nominal de coletor de 400A (616A máximo)

• Tecnologia IGBT4 trench rápida de 4ª geração (Infineon) para baixo VCE(sat) e comutação rápida

• Diodos CAL4 de comutação suave de 4ª geração para eficiência aprimorada e baixa EMI

• Placa de base de cobre isolada usando tecnologia DBC para excelente dissipação térmica

• Resistor de gate integrado para simplificação do projeto do circuito

• Capacidade de suportar curto-circuito de 10µs para operação robusta

• Reconhecido pela UL (Arquivo nº E63532) para conformidade com segurança industrial

• Faixa de temperatura de operação: -40°C a +175°C

Aplicações 

• Acionamentos de inversor CA e controles de motor industrial

• Sistemas de Fontes de Alimentação Ininterrupta (UPS)

• Soldadores eletrônicos operando em frequências de comutação de até 20kHz

• Inversores solares e sistemas de energia renovável

• Conversores de alta potência e fontes de alimentação industrial

Descrição

O SKM400GB12T4 é um módulo de potência IGBT duplo de 1200V, 400A da SEMIKRON-Danfoss, parte da série SEMITRANS® 3. Ele apresenta tecnologia IGBT4 trench rápida de 4ª geração da Infineon combinada com diodos CAL4 de comutação suave em uma topologia de meia ponte. O módulo incorpora uma placa de base de cobre isolada usando tecnologia DBC (Direct Bonded Copper) com um resistor de gate integrado, permitindo operação confiável em frequências de comutação de até 20kHz

INFORMAÇÃO

Desenho

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