IRF5305PBF P-Chan MOSFET -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds(on) chaveamento rápido porta de nível lógico encapsulamento TO-220

IRF5305PBF MOSFET Canal P -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds(on) chaveamento rápido porta lógica encapsulamento TO-220

Características

• Modo de Enriquecimento Canal P – Simplifica o chaveamento do lado alto sem a necessidade de uma bomba de carga ou deslocador de nível.

• -55V Tensão Dreno-Fonte (Vdss) – Adequado para sistemas de barramento automotivo e industrial de 12V, 24V e 48V.

• -31A Corrente Contínua de Dreno (Id) – Lida com cargas de corrente moderada a alta com segurança.

• 65mΩ Rds(on) Máx. – Baixa perda de condução melhora a eficiência e reduz a geração de calor.

• Acionamento de Porta de Nível Lógico – Totalmente aprimorado com Vgs = -5V a -10V, compatível com microcontroladores de 3.3V/5V.

• Velocidade de Chaveamento Rápida – Baixa carga de porta (Qg = 63nC típico) minimiza perdas de chaveamento em aplicações PWM.

• Compatível com RoHS e Livre de Chumbo – O sufixo "PBF" indica terminações ecologicamente corretas e livres de chumbo.

Aplicações 

• Proteção contra Polaridade Inversa – Protege circuitos de entrada CC contra inversão acidental da bateria em dispositivos automotivos e portáteis.

• Sistemas de Gerenciamento de Bateria (BMS) – Desconexão do lado alto para pacotes de bateria de Li-ion, LiFePO4 e chumbo-ácido.

• Chaves de Carga – Habilita/desabilita energia para módulos, sensores ou circuitos periféricos em sistemas embarcados.

• Controle de Motor CC – Controle de velocidade PWM de baixa frequência para pequenos motores escovados (ferramentas elétricas, bombas, ventiladores).

• Seleção de Fonte de Alimentação – Alterna entre baterias primárias e de backup ou entradas de adaptador CA.

• Acionamento de LED – Controle de escurecimento do lado alto para iluminação automotiva, sinalização e lâmpadas industriais.

• Controladores de Carga Solar – Função de desconexão para painéis ou baterias em sistemas off-grid de baixa potência.

Descrição

O IRF5305PBF é um MOSFET de potência de Canal P que utiliza a avançada tecnologia HEXFET®. Alojado em um encapsulamento TO-220 padrão da indústria, ele é projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência que exigem baixa resistência no estado ligado e desempenho de chaveamento rápido. Com uma classificação de tensão dreno-fonte de -55V e corrente contínua de dreno de -31A, este dispositivo é ideal para chaveamento de carga, proteção de bateria e circuitos de gerenciamento de energia onde um terra positivo ou um chaveamento de canal P do lado alto é preferido. O acionamento de porta de nível lógico simplifica a interface com microcontroladores e circuitos de controle de baixa tensão.

INFORMAÇÃO

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