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IRFP240 N-Chan MOSFET 200V Vdss 20A Id 0.18Ohm Rds(on) comutação rápida TO-247 pacote confiável para áudio e energia

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificações
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IRFP240 N-Chan MOSFET 200V Vdss 20A Id 0.18Ohm Rds(on) comutação rápida TO-247 pacote confiável para áudio e energia

IRFP240 N-Chan MOSFET 200V Vdss 20A Id 0.18Ohm Rds(on) comutação rápida TO-247 pacote confiável para áudio e energia
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Imagem Grande :  IRFP240 N-Chan MOSFET 200V Vdss 20A Id 0.18Ohm Rds(on) comutação rápida TO-247 pacote confiável para áudio e energia

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Infineon
Certificação: CE, GCF, ROHS
Número do modelo: IRFP240
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiable
Detalhes da embalagem: Embalado na bandeja original primeiro, depois a caixa, finalmente a bolsa de bolha para embalagem ex
Tempo de entrega: 3-5 dias úteis após receber o pagamento
Termos de pagamento: T/T, União Ocidental,
Habilidade da fonte: 1000 unidades por mês
Descrição de produto detalhada
Tipo: MÓDULO IGBT pacote: novo e originalF00R12KT4: Módulo IGBT 1200V 200A, baixo VCE (sat), alta robustez em curto-circuito,
Doença: Novo e Original Status livre de chumbo: Compatível com RoHS
Envio por: DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post,DHL,UPS,Fedex e EMS
Destacar:

N-Chan MOSFET 200V comutação rápida

,

TO-247 pacote MOSFET áudio confiável

,

20A Id MOSFET de potência

IRFP240 N-Chan MOSFET 200V Vdss 20A Id 0.18Ohm Rds(on) comutação rápida encapsulamento TO-247 confiável para áudio e potência


Características

  • Modo de Intensificação de Canal N – Acionamento de gate positivo padrão, fácil de usar em topologias de circuito comuns.

  • Tensão Dreno-Fonte de 200V (Vdss) – Suporta tensões de barramento de 100V–150V em fontes de alimentação de áudio e chaveamento.

  • Corrente de Dreno Contínua de 20A (Id) – Capaz de lidar com cargas de potência moderada a alta de forma confiável.

  • 0.18Ω Rds(on) Máx. – Baixa perda de condução melhora a eficiência e reduz a geração de calor.

  • Velocidade de Comutação Rápida – Baixa carga de gate (Qg = 70nC típico) permite operação PWM de alta frequência.

  • Capacidade de Modo Linear – Ampla área de operação segura (SOA) ideal para amplificadores de áudio Classe-A, AB e cargas ativas.

  • Encapsulamento TO-247 – Alta dissipação de potência (150W) com fácil montagem de dissipador de calor para ambientes térmicos exigentes.

 

Aplicações 

  • Amplificadores de Áudio – Estágios de saída de amplificadores Classe-A, Classe-AB e de alta fidelidade (por exemplo, Pass Labs, designs Zen).

  • Reguladores Lineares e Cargas Ativas – Fontes de alta tensão ajustáveis, cargas eletrônicas e descarregadores de bateria.

  • Fontes de Alimentação Chaveadas (SMPS) – Chaveamento do lado primário para conversores flyback, forward e half-bridge.

  • Conversores DC-DC – Circuitos step-down ou boost de alta tensão para equipamentos industriais e de telecomunicações.

  • Controle de Motor – Acionamentos de motor DC com escovas para ferramentas elétricas, bombas e pequenos veículos elétricos.

  • Inversores – Inversores DC-AC de baixa frequência para sistemas de energia solar ou de backup.

  • Equipamentos de Teste – Cargas programáveis, drivers de relé e geradores de forma de onda que requerem MOSFETs de alta tensão.

 

Descrição

O IRFP240 é um MOSFET de potência de Canal N projetado para aplicações de chaveamento de potência de alta tensão e alta velocidade. Utilizando tecnologia avançada de stripe planar, este dispositivo é alojado em um robusto encapsulamento TO-247, oferecendo excelente desempenho térmico e confiabilidade. Com uma classificação de tensão dreno-fonte de 200V e corrente de dreno contínua de 20A, o IRFP240 é particularmente renomado por sua operação em modo linear, tornando-o um favorito de longa data entre designers de amplificadores de áudio. Sua baixa resistência de condução e características de comutação rápida também se adequam a várias tarefas de conversão de energia industrial.

 

INFORMAÇÃO

categoria
Produtos semicondutores discretos
Transistores
FET,MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
Vgs(th) para diferentes IDs (máximo)
4V @ 250µA
fabricante
Vishay Siliconix
Carga de gate (Qg) em diferentes Vgs (máx.)
70 nC @ 10 V
Embalagem
Conexões de tubulação
Vgs (máx.)
±20V
Status da peça
Descontinuado
Capacitância de entrada (CIS) em diferentes Vds (Máx.)
1300 pF @ 25 V
Tipo de FET
Canal N
Dissipação de Potência (Máx.)
150W(Tc)
Tecnologia
MOSFETs (Óxidos Metálicos)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
200 V
Tipo de montagem
Através do furo
Corrente a 25°C - Dreno Contínuo (ID)
20A(Tc)
Pacotes de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Tensão de acionamento (RDS On Máx., RDS On Mín.)
10V
Pacote/Invólucro
TO-247-3
Resistência de condução em diferentes IDs e Vgs (máx.)
180 mOhm @ 12A, 10V
Número base do produto
IRFP240

 

Desenho

IRFP240 N-Chan MOSFET 200V Vdss 20A Id 0.18Ohm Rds(on) comutação rápida TO-247 pacote confiável para áudio e energia 0

Nossa vantagem :telefones, PDAs, computadores portáteis

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Forte em Marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

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Contacto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Mrs. Natasha

Telefone: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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