FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 Resistência 151yr Retenção sem atraso Escreve 3.6V Max, SOIC-8 -40°C~85°C

FM24CL64B-GTR

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Características

■ Memória de acesso aleatório ferroelétrica (F-RAM) de 64 Kbit, organizada logicamente como 8K e vezes; 8

❐ 100 trilhões (1014) de leituras/gravações de alta durabilidade

❐ Retenção de dados de 151 anos (Consulte Retenção de Dados e Durabilidade na página 10)

❐ Gravações NoDelayandtrade;

❐ Processo ferroelétrico avançado de alta confiabilidade

■ Interface serial de 2 fios (I2C) rápida

❐ Frequência de até 1 MHz

❐ Substituição direta de hardware para EEPROM serial (I2C)

❐ Suporta temporizações legadas para 100 kHz e 400 kHz

■ Baixo consumo de energia

❐ 100 A (típico) corrente ativa a 100 kHz ❐ 3 A (típico) corrente em espera

■ Operação de tensão: VDD = 2,7 V a 3,65 V

■ Temperatura industrial: andndash;40 C a +85 C

■ Pacotes

❐ Pacote de circuito integrado de contorno pequeno (SOIC) de 8 pinos

❐ Pacote fino de dupla face plana sem terminais (DFN) de 8 pinos

■ Conformidade com a restrição de substâncias perigosas (RoHS)

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Descrição Funcional

O FM24CL64B é uma memória não volátil de 64 Kbit que emprega um processo ferroelétrico avançado. Uma memória de acesso aleatório ferroelétrica ou F-RAM é não volátil e realiza leituras e gravações semelhantes a uma RAM. Ele fornece retenção de dados confiável por 151 anos, eliminando as complexidades, a sobrecarga e os problemas de confiabilidade em nível de sistema causados ​​pela EEPROM e outras memórias não voláteis.

Ao contrário da EEPROM, o FM24CL64B realiza operações de gravação na velocidade do barramento. Não há atrasos de gravação. Os dados são gravados na matriz de memória imediatamente após cada byte ser transferido com sucesso para o dispositivo. O próximo ciclo de barramento pode começar sem a necessidade de sondagem de dados. Além disso, o produto oferece durabilidade de gravação substancial em comparação com outras memórias não voláteis. Além disso, a F-RAM exibe muito menos energia durante as gravações do que a EEPROM, pois as operações de gravação não exigem uma tensão de alimentação internamente elevada para os circuitos de gravação. O FM24CL64B é capaz de suportar 1014 ciclos de leitura/gravação, ou 100 milhões de vezes mais ciclos de gravação do que a EEPROM.

Esses recursos tornam o FM24CL64B ideal para aplicações de memória não volátil, exigindo gravações frequentes ou rápidas. Os exemplos variam de registro de dados, onde o número de ciclos de gravação pode ser crítico, a controles industriais exigentes, onde o longo tempo de gravação da EEPROM pode causar perda de dados. A combinação de recursos permite uma escrita de dados mais frequente com menos sobrecarga para o sistema.

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Informações

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Desenho

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