A PARTE SUPERIOR é um distribuidor profissional dos componentes eletrônicos em China.
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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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Função: | Avançar, descer. | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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Topologia: | Fanfarrão, impulso | Tipo de saída: | Ajustável |
Número de Saídas: | 1 |
IRF4905PBF
CARACTERÍSTICAS
Tecnologia de Processo Avançada
Ultra Baixa Resistência em Condução
Classificação dv/dt Dinâmica
Temperatura de Operação de 175°C
Comutação Rápida
Canal P
Totalmente Avaliado para Avalanche
Sem Chumbo
Descrição
Os HEXFETs de Quinta Geração da International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançadas para obter uma resistência em condução extremamente baixa por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o design robusto do dispositivo que os MOSFETs de Potência HEXFET são conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais-industriais em níveis de dissipação de potência de aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote TO 220 contribuem para sua ampla aceitação em toda a indústria.
Informações
Categoria
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Fabricante
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Série
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Embalagem
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Tubo
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Status da Peça
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Ativo
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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55 V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
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Tensão de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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20mOhm @ 38A, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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4V @ 250µA
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Carga da Porta (Qg) (Máx) @ Vgs
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180 nC @ 10 V
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Vgs (Máx)
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±20V
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Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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3400 pF @ 25 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de Potência (Máx)
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200W (Tc)
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Temperatura de Operação
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Grau
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-
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Qualificação
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-
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Tipo de Montagem
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Através do Orifício
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Pacote do Dispositivo do Fornecedor
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TO-220AB
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Pacote / Caixa
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Número do Produto Base
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Desenho
Nossa vantagem:
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Lista de Produtos
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