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CSD17304Q3 30V NexFETTM 60A de canal N contínuo 2.2mΩ Rds ((on) SON 3.3x3.3mm -55°C a +150°C AEC-Q101

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CSD17304Q3 30V NexFETTM 60A de canal N contínuo 2.2mΩ Rds ((on) SON 3.3x3.3mm -55°C a +150°C AEC-Q101

Imagem Grande : CSD17304Q3 30V NexFETTM 60A de canal N contínuo 2.2mΩ Rds ((on) SON 3.3x3.3mm -55°C a +150°C AEC-Q101

Detalhes do produto:

Place of Origin:	China
Marca:	Texas Instruments
Certificação:	CE,ROHS
Model Number:	CSD17304Q3

Condições de Pagamento e Envio:

Minimum Order Quantity:	1pcs

Contato

Descrição de produto detalhada

Estabilidade de frequência:	± 50 ppm	Tolerância de frequência:	± 30 ppm
Temperatura operacional:	-40 ° C ~ 85 ° C.	Capacidade de carga:	18pF
Pacote / caso:	HC-49/US	Nome:	componentes eletrônicos passivos
Destacar:	Ativos de dívida , CSD17304Q3 NexFET de canal N , NexFET de canal N de 30 V

CSD17304Q3

andnbsp;

CARACTERÍSTICAS

andbull; Otimizado para Gate Drive de 5V

andbull; Ultrabaixo Qg e Qgd

andbull; Baixa Resistência Térmica

andbull; Classificado para Avalanche

andbull; Revestimento de Terminal Sem Chumbo

andbull; Em Conformidade com RoHS

andbull; Livre de Halogênio

andbull; Pacote Plástico SON de 3,3 mm × 3,3 mm

andnbsp;

APLICAÇÕES

andbull; Ponto de Carga de Notebook

andbull; Buck Síncrono de Ponto de Carga em

andnbsp;andnbsp;Redes, Telecomunicações e Sistemas de Computação

andnbsp;

DESCRIÇÃO

O CSD17304Q3 é um MOSFET de potência NexFETandtrade; de canal N de 30V da Texas Instruments (TI), apresentando um pacote SON 3,3x3,3mm avançado. Projetado para conversão de energia de alta corrente e alta eficiência, sua ultra-baixa Rds(on) (2,2mandOmega;) e capacidade de corrente contínua de 60A o tornam ideal para eletrônica automotiva, sistemas de energia industrial e acionamentos de motores.

✔ 80% menor que os pacotes TO-220
✔ 60% menor perda de condução (vs. MOSFETs de 5mandOmega;)
✔ Suporta comutação PWM de 1MHz

andnbsp;

INFORMAÇÕES

Categoria	Produtos de Semicondutores Discretos Transistores FETs, MOSFETs FETs Únicos, MOSFETs	andnbsp;
Fabricante	Texas Instruments	andnbsp;
Série	NexFETandtrade;	andnbsp;
Embalagem	Fita e Carretel (TR) Fita Cortada (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Status da Peça	Ativo	andnbsp;
Tipo de FET	Canal N	andnbsp;
Tecnologia	MOSFET (Óxido de Metal)	andnbsp;
Tensão Dreno-Fonte (Vdss)	30 V	andnbsp;
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25anddeg;C	15A (Ta), 56A (Tc)	andnbsp;
Tensão de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V	andnbsp;
Rds On (Máx) @ Id, Vgs	7,5mOhm @ 17A, 8V	andnbsp;
Vgs(th) (Máx) @ Id	1,8V @ 250andmicro;A	andnbsp;
Carga da Porta (Qg) (Máx) @ Vgs	6,6 nC @ 4,5 V	andnbsp;
Vgs (Máx)	+10V, -8V	andnbsp;
Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds	955 pF @ 15 V	andnbsp;
Recurso FET	-	andnbsp;
Dissipação de Potência (Máx)	2,7W (Ta)	andnbsp;
Temperatura de Operação	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Grau	-	andnbsp;
Qualificação	-	andnbsp;
Tipo de Montagem	Montagem em Superfície	andnbsp;
Pacote do Dispositivo do Fornecedor	8-VSON-CLIP (3,3x3,3)	andnbsp;
Pacote / Caixa	8-PowerTDFN	andnbsp;
Número do Produto Base	CSD17304

andnbsp;

Desenho

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2. Produzir Antena de Comunicação, Cabo Coaxial RF, Conector RF, Terminais.

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Pessoa de Contato: Mrs. Natasha

Telefone: 86-13723770752

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