AON7534 MOSFET de canal N de 30V 10,5mandOmega; Rds(on) 60A Contínuo DFN5x6-8L -55anddeg;C a +175anddeg;C AEC-Q101
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Descrição Geral
andbull; Tecnologia Trench Power MOSFET
andbull; RDS(on) muito baixo a 4,5VGS
andbull; Baixa carga de porta
andbull; Capacidade de alta corrente
andbull; Em conformidade com RoHS e livre de halogênio
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Aplicação
andbull; Conversores DC/DC em computação, servidores e POL
andbull; Conversores DC/DC isolados em telecomunicações e indústria
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Características
Comutação de energia de alta eficiência
andnbsp; Tensão Dreno-Fonte de 30V: ideal para sistemas de energia de 12V/24V
andnbsp; Corrente contínua de 60A (100A pulsada): suporta acionamento de carga de alta potência
Perda de condução ultrabaixa
andnbsp; Rds(on)= 10,5m2 (Vgs=10V): minimiza a dissipação de energia, aumenta a eficiência
Otimização de comutação de alta frequência
andnbsp; Baixa carga de porta (Qg=38nC): permite o controle PWM de alta frequência (até 1MHz)
andnbsp; Comutação rápida: tempo de subida/descida <20ns
Confiabilidade e proteção
andnbsp; 100% testado em avalanche: garante estabilidade em condições extremas
Certificado AEC-Q101: Atende aos padrões de confiabilidade automotiva
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Densidade de potência líder: o pacote DFN5x6-8L é 80% menor que o TO-220
Eficiência superior: 30% menor perda de condução vs. MOSFETS de 15mQ
Ampla faixa de temperatura: -55'C a +175'C para ambientes agressivos
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INFORMAÇÕES
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Categoria
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Fabricante
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Série
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Embalagem
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Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reelandreg;
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Status da peça
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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Corrente - Dreno contínuo (Id) @ 25anddeg;C
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Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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Carga de porta (Qg) (Máx) @ Vgs
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Vgs (Máx)
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Capacitância de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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Recurso FET
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Dissipação de energia (Máx)
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Temperatura de operação
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Grau
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Qualificação
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Tipo de montagem
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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Pacote / Caixa
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Número do produto base
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Desenho
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