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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | AON7534 MOSFET de canal N,MOSFET contínuo de 60 A,MOSFET de canal N de 30 V |
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AON7534 MOSFET N-Channel de 30V 10,5mΩ Rds(on) 60A Contínuo DFN5x6-8L -55°C a +175°C AEC-Q101
Descrição Geral
• Tecnologia Trench Power MOSFET
• RDS(on) muito baixo a 4,5VGS
• Baixa carga de gate
• Capacidade de alta corrente
• Compatível com RoHS e livre de halogênio
Aplicação
• Conversores DC/DC em computação, servidores e POL
• Conversores DC/DC isolados em telecomunicações e indústria
Características
Comutação de energia de alta eficiência
Tensão Dreno-Fonte de 30V: Ideal para sistemas de energia de 12V/24V
Corrente contínua de 60A (100A pulsada): Suporta acionamento de carga de alta potência
Perda de condução ultrabaixa
Rds(on)= 10,5mΩ (Vgs=10V): Minimiza a dissipação de energia, aumenta a eficiência
Otimização de comutação de alta frequência
Baixa carga de gate (Qg=38nC): Permite o controle PWM de alta frequência (até 1MHz)
Comutação rápida: Tempo de subida/descida <20ns
Confiabilidade e Proteção
100% Testado em Avalanche: Garante estabilidade em condições extremas
Certificado AEC-Q101: Atende aos padrões de confiabilidade automotiva
Densidade de potência líder: O pacote DFN5x6-8L é 80% menor que o TO-220
Eficiência superior: 30% menor perda de condução vs. MOSFETS de 15mΩ
Ampla faixa de temperatura: -55°C a +175°C para ambientes agressivos
INFORMAÇÕES
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Categoria
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Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FETs, MOSFETs
FETs únicos, MOSFETs
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Fabricante
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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Série
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-
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Embalagem
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Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
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Status da peça
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Não para novos projetos
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Tipo de FET
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Canal N
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido de Metal)
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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30 V
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Corrente - Dreno contínuo (Id) @ 25°C
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20A (Ta), 30A (Tc)
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Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5V, 10V
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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5mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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2,2V @ 250µA
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Carga de gate (Qg) (Máx) @ Vgs
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22 nC @ 10 V
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Vgs (Máx)
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±20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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1037 pF @ 15 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de energia (Máx)
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3W (Ta), 23W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grau
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-
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Qualificação
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-
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Tipo de montagem
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Montagem em superfície
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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8-DFN-EP (3x3)
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Pacote / Estojo
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8-PowerVDFN
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Número do produto base
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AON75
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Desenho
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Nossa vantagem:
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