MC34152PG Driver MOSFET Duplo 1,5A Corrente de Pico 12V-18V Alimentação 50ns Subida/Descida DIP-8 -40°C a +85°C

MC34152PG Driver MOSFET duplo 1,5A Corrente de pico 12V-18V Alimentação 50ns Subida/Queda DIP-8 -40anddeg;C a +85anddeg;C

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Características

andbull; Dois canais independentes com saídas de 1,5 A Totem Pole

andbull; Tempos de subida e descida de saída de 15 ns com carga de 1000 pF

andbull; Entradas compatíveis com CMOS/LSTTL com histerese

andbull; Bloqueio de subtensão com histerese

andbull; Baixa corrente em espera

andbull; Operação eficiente em alta frequência

andbull; Desempenho aprimorado do sistema com ICs de controle de regulador de comutação comuns

andbull; Prefixo NCV para aplicações automotivas e outras que exigem controles de local e alteração

andbull; Estes são dispositivos Pbandminus;Free e Halideandminus;Free

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DESCRIÇÃO

Os MC34152/MC33152 são drivers duplos de alta velocidade não inversores projetados especificamente para aplicações que exigem sinais digitais de baixa corrente para acionar grandes cargas capacitivas com altas taxas de variação. Esses dispositivos apresentam baixa corrente de entrada, tornando-os compatíveis com a lógica CMOS/LSTTL, histerese de entrada para comutação rápida de saída, que é independente do tempo de transição de entrada, e duas saídas totem pole de alta corrente, idealmente adequadas para acionar MOSFETs de potência. Também está incluído um bloqueio de subtensão com histerese para evitar operação errática do sistema em baixas tensões de alimentação.

Aplicações típicas incluem fontes de alimentação de comutação, conversores dcandminus;toandminus;dc, duplicadores/inversores de tensão de bomba de carga de capacitor e controladores de motor.

Este dispositivo está disponível em pacotes dualandminus;inandminus;line e de montagem em superfície.

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Estágio de entrada

As entradas lógicas têm 170 mV de histerese com o limiar de entrada centrado em 1,67 V. Os limiares de entrada são insensíveis a VCC, tornando este dispositivo diretamente compatível com as famílias lógicas CMOS e LSTTL em toda a sua faixa de tensão operacional. A histerese de entrada fornece comutação de saída rápida que é independente do tempo de transição do sinal de entrada, evitando oscilações de saída quando os limiares de entrada são cruzados. As entradas são projetadas para aceitar uma amplitude de sinal que varia de terra a VCC. Isso permite que a saída de um canal acione diretamente a entrada de um segundo canal para operação masterandminus;slave. Cada entrada tem um resistor pulldown de 30 k para que uma entrada aberta não conectada faça com que a Saída de Acionamento associada esteja em um estado baixo conhecido.

Estágio de saída

Cada Saída de Acionamento totem pole é capaz de fornecer e afundar até 1,5 A com uma resistência típica andlsquo;onandrsquo; de 2,4 a 1,0 A. A baixa resistência andlsquo;onandrsquo; permite que altas correntes de saída sejam atingidas em um VCC mais baixo do que com drivers CMOS comparativos. Cada saída tem um resistor pulldown de 100 k para manter o gate do MOSFET baixo quando VCC é menor que 1,4 V. Nenhuma proteção contra sobrecorrente ou térmica foi projetada no dispositivo, portanto, o curto-circuito de saída para VCC ou terra deve ser evitado.

A indutância parasita em série com a carga fará com que as saídas do driver toquem acima de VCC durante a transição de ativação e abaixo do terra durante a transição de desativação. Com os drivers CMOS, este modo de operação pode causar uma condição destrutiva de travamento de saída. O MC34152 é imune ao travamento de saída. As Saídas de Acionamento contêm um diodo interno para VCC para fixar transientes de tensão positiva. Ao operar com VCC em 18 V, a derivação adequada da fonte de alimentação deve ser observada para evitar que o toque de saída exceda a classificação máxima do dispositivo de 20 V. Os transientes de saída negativos são fixados pelo transistor pullup NPN interno. Como a tensão total de alimentação é aplicada emandnbsp;o pullup NPN durante o transiente de saída negativo, a dissipação de energia em altas frequências pode se tornar excessiva. As Figuras 19, 20 e 21 mostram um método de uso de grampos de diodo Schottky externos para reduzir a dissipação de energia do driver.

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INFORMAÇÕES

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Desenho

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