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NDS331N MOSFET de canal N de 20V 1,6A Contínuo 0,25Ω Rds(on) SOT-23 Nível Lógico de 1,8V -55°C a +150°C

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificações
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NDS331N MOSFET de canal N de 20V 1,6A Contínuo 0,25Ω Rds(on) SOT-23 Nível Lógico de 1,8V -55°C a +150°C

NDS331N MOSFET de canal N de 20V 1,6A Contínuo 0,25Ω Rds(on) SOT-23 Nível Lógico de 1,8V -55°C a +150°C
NDS331N MOSFET de canal N de 20V 1,6A Contínuo 0,25Ω Rds(on) SOT-23 Nível Lógico de 1,8V -55°C a +150°C NDS331N MOSFET de canal N de 20V 1,6A Contínuo 0,25Ω Rds(on) SOT-23 Nível Lógico de 1,8V -55°C a +150°C NDS331N MOSFET de canal N de 20V 1,6A Contínuo 0,25Ω Rds(on) SOT-23 Nível Lógico de 1,8V -55°C a +150°C

Imagem Grande :  NDS331N MOSFET de canal N de 20V 1,6A Contínuo 0,25Ω Rds(on) SOT-23 Nível Lógico de 1,8V -55°C a +150°C

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: onsemi
Certificação: CE, GCF, ROHS
Número do modelo: NDS331N
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiable
Detalhes da embalagem: Embalado na bandeja original primeiro, depois em cartão, finalmente em saco de bolhas para embalagem
Tempo de entrega: 3-5 dias úteis após receção do pagamento
Termos de pagamento: T/T, Western Union,
Habilidade da fonte: 1000 pcs por mês
Descrição de produto detalhada
Função: Avançar, descer. Configuração de Saída: Positivo ou Negativo
Topologia: Buck, impulsionar. Tipo de saída: Ajustável
Número de Saídas: 1
Destacar:

MOSFET de canal N de 20 V

,

NDS331N MOSFET de canal N

,

NDS331N

NDS331N 20V MOSFET N-Channel 1.6A contínuo 0,25Ω Rds ((on) SOT-23 1.8V Nível lógico -55°C a +150°C

Características

1.3 A, 20 V

RDS ((on) = 0,21 @ VGS = 2,7 V

RDS ((on) = 0,16 @ VGS = 4,5 V

Esboço do padrão da indústria SOT−23 Pacote de montagem de superfície usando o design proprietário SUPERSOT −3 para capacidades térmicas e elétricas superiores

Projeto de células de alta densidade para RDS extremamente baixos ((on))

Resistência de ligação excepcional e capacidade máxima de corrente contínua

Este é um dispositivo livre de Pb−

Descrição geral

Estes transistores de efeito de campo de potência de modo de aumento de nível lógico de N-Channel são produzidos usando a tecnologia DMOS proprietária da onsemi, de alta densidade de células.Este processo de densidade muito alta é especialmente adaptado para minimizar a resistência de estadoEstes dispositivos são particularmente adequados para aplicações de baixa voltagem em computadores portáteis, telefones portáteis, cartões PCMCIA e outros circuitos alimentados por bateria, onde a comutação rápida,e baixa perda de potência em linha são necessários em um pacote de montagem de superfície de contorno muito pequeno.

Aplicações

Eletrônicos portáteis

Troca de carga: gestão de energia em smartphones, fones de ouvido TWS

Proteção da bateria: atua como interruptor de vias de carga/descarga (suporta 1.6A de corrente contínua).

Conversão CC-DC de baixa potência

Rectificação síncrona: emparelhado com chips Buck/Boost (por exemplo, TPS61093) para melhorar a eficiência através de 0,250 Rds ((on).

"Fluorescência" (Fluorescência)

Processamento de sensores e sinais

Sensor de comutação de energia: controlo de poupança de energia para sensores de temperatura/umidade, módulos ópticos.

Comutação analógica: substitui os relés mecânicos nos caminhos de sinal de baixa tensão (< 20 V).

Controle industrial

Interfaces PLC l/O: Alimenta LEDs ou pequenos relés (requer diodo de retorno).
Comutação de lado baixo: controla ventiladores, pequenos motores, etc.

Informações

Categoria
Mfr
Série
-
Embalagem
Tape and Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Estatuto da parte
Atividade
Tipo de FET
Tecnologia
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)
20 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 1,5 A, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
5 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
± 8V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
162 pF @ 10 V
Característica FET
-
Dissipação de energia (máximo)
500 mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3
Embalagem / Caixa
Número do produto de base

Desenho

NDS331N MOSFET de canal N de 20V 1,6A Contínuo 0,25Ω Rds(on) SOT-23 Nível Lógico de 1,8V -55°C a +150°C 0

A nossa vantagem:

  • Produtos de alta qualidade --- as nossas ofertas são 100% novas e originais, ROHS
  • Preço competitivo --- bons canais de compra com bom preço.
  • Serviço profissional --- rigoroso teste de qualidade antes do envio, e serviço pós-venda perfeito após a compra.
  • Inventário adequado --- Com o apoio da nossa forte equipa de compras,
  • Entrega rápida --- enviaremos as mercadorias dentro de 1-3 dias úteis após o pagamento confirmado.

Certifique-se de satisfazer as suas necessidades de todos os tipos de componentes.- Não.


Lista de produtos
Fornecer uma série de componentes eletrônicos, gama completa de semicondutores, componentes ativos e passivos. Podemos ajudá-lo a obter tudo para bom do PCB, em uma palavra, você pode obter uma solução única aqui,


As ofertas incluem:
Circuito integrado, ICs de memória, diodo, transistor, condensador, resistor, varistor, fusível, trimmer e potenciômetro, transformador, bateria, cabo, relé, interruptor, conector, bloco terminal,Cristal e oscilador, Indutor, Sensor, Transformador, Condutor IGBT, LED,LCD, Conversor, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte em Marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

Contacto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Mrs. Natasha

Telefone: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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