A PARTE SUPERIOR é um distribuidor profissional dos componentes eletrônicos em China.
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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Avançar, descer. | Configuração de Saída: | Positivo ou Negativo |
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| Topologia: | Buck, impulsionar. | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de Saídas: | 1 | ||
| Destacar: | MOSFET de canal N 24A,MOSFET de canal N em encapsulamento DPAK,IRFR024NTRPBF MOSFET de canal N |
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IRFR024NTRPBF MOSFET de canal N de 55V 24A com RDS(on) ultra-baixo de 0,028andOmega;, velocidade de comutação rápida, testado a 100% contra avalanches, pacote DPAK compacto, sem chumbo e em conformidade com RoHS
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Aplicações
Aplicações de acionamento de motor escovado
Aplicações de acionamento de motor BLDC
Circuitos alimentados por bateria
Topologias de meia ponte e ponte completa
Aplicações de retificação síncrona
Fontes de alimentação em modo ressonante
Interruptores de alimentação OR-ing e redundantes
Conversores DC/DC e AC/DC
Inversores DC/AC
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Benefícios
Portão, avalanche e dV/dt dinâmico aprimorados
Robustez, capacitância totalmente caracterizada e SOA de avalanche
Capacidade aprimorada de diodo de corpo dV/dt e dI/dt
Sem chumbo
Em conformidade com RoHS, livre de halogênio
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Características
Características elétricas
MOSFET de canal N, modo de aprimoramento
Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 55V
Corrente de Dreno Contínua (lD):
34A (@25anddeg;C)
23A (@100anddeg;C)
Resistência em condução (RDS(on)):
0,024andOmega; (típico, VGS=10V)0
0,028andOmega; (máx., VGS=10V)
Tensão de limiar do gate (VGs(th)): 2V ~ 4V
Tensão máxima gate-source (VGs): andplusmn;20V
Características de comutação
Capacitância de entrada (Ciss): 1100pF (típico)
Capacitância de saída (Coss): 300pF (típico)
Capacitância de transferência reversa (Crss): 80pF (típico)
Tempo de atraso de ativação/desativação (td(on)/td(off)): Nível de nanossegundos, adequado para comutação de alta frequência
Desempenho térmico
Dissipação de potência máxima (PD): 48W(@25anddeg;C)
Resistência térmica (Randtheta;JA): 62anddeg;C/W (sem dissipador de calor)
Faixa de temperatura de operação: -55anddeg;C ~ +175anddeg;C
Características do pacote e mecânicas
Tipo de pacote: TO-252 (DPAK), montagem em superfície
Em conformidade com RoHS, design sem chumbo
Baixa indutância parasitária, otimizado para layout de PCB
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INFORMAÇÕES
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Categoria
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Fabricante
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Série
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Embalagem
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Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reelandreg;
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Status da peça
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Ativo
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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55 V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25anddeg;C
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Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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75mOhm @ 10A, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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4V @ 250andmicro;A
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Carga do gate (Qg) (Máx) @ Vgs
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20 nC @ 10 V
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Vgs (Máx)
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andplusmn;20V
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Capacitância de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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370 pF @ 25 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de potência (Máx)
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45W (Tc)
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Temperatura de operação
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-55anddeg;C ~ 175anddeg;C (TJ)
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Grau
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-
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Qualificação
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-
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Tipo de montagem
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Montagem em superfície
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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TO-252AA (DPAK)
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Pacote / Estojo
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Número do produto base
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Desenho
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Nossa vantagem:
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certifique-se de atender às suas necessidades para todos os tipos de componentes.^_^
Lista de produtos
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Forte em marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.
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