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A PARTE SUPERIOR é um distribuidor profissional dos componentes eletrônicos em China.

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IRFR024NTRPBF 55V 24A MOSFET N-Channel com RDS 0,028Ω ultra-baixo ((on), velocidade de comutação rápida 100% Avalanche Tested Compacto DPAK Package livre de chumbo and RoHS Compliant

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificações
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IRFR024NTRPBF 55V 24A MOSFET N-Channel com RDS 0,028Ω ultra-baixo ((on), velocidade de comutação rápida 100% Avalanche Tested Compacto DPAK Package livre de chumbo and RoHS Compliant

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Imagem Grande :  IRFR024NTRPBF 55V 24A MOSFET N-Channel com RDS 0,028Ω ultra-baixo ((on), velocidade de comutação rápida 100% Avalanche Tested Compacto DPAK Package livre de chumbo and RoHS Compliant

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: Infineon
Certificação: CE, GCF, ROHS
Número do modelo: IRFR024NTRPBF
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiable
Detalhes da embalagem: Embalado na bandeja original primeiro, depois em cartão, finalmente em saco de bolhas para embalagem
Tempo de entrega: 3-5 dias úteis após receção do pagamento
Termos de pagamento: T/T, Western Union,
Habilidade da fonte: 1000 pcs por mês
Descrição de produto detalhada
Função: Avançar, descer. Configuração de Saída: Positivo ou Negativo
Topologia: Buck, impulsionar. Tipo de saída: Ajustável
Número de Saídas: 1
Destacar:

MOSFET de canal N 24A

,

MOSFET de canal N em encapsulamento DPAK

,

IRFR024NTRPBF MOSFET de canal N

IRFR024NTRPBF 55V 24A MOSFET N-Channel com Ultra-Low 0.028andOmega; RDS ((on), Velocidade de comutação rápida 100% Avalanche Testado Pacote compacto DPAK Livre de chumbo e compatível com RoHS

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Aplicações

Aplicações de motor de condução escovado

Aplicações de motores de accionamento BLDC

Circuitos a bateria

Topologias de meia ponte e ponte completa

Aplicações de rectificadores síncronos

Fontes de alimentação de modo ressonante

Comutadores de alimentação de funcionamento e redundantes

Conversores DC/DC e AC/DC

Inversores DC/AC

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Benefícios

Melhoria da porta, da avalanche e da dinâmica dV/dt

Robustez Capacidade totalmente caracterizada e Avalanche SOA

Capacidade de diodo de corpo dV/dt e dI/dt melhorada

Sem chumbo

Compatível com a RoHS, sem halogênio

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Características

Características elétricas
MOSFET de canal N, modo de reforço

Voltagem da fonte de descarga (Vandlt;subandgt;DSSandlt;/subandgt): 55V

Corrente de drenagem contínua (terrestre/subterrânea):
34A (@25anddeg;C)
23A (@100anddeg;C)
- Resistência (Randlt;subandgt;DS))
0.0242 (típico, Vandlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10V) 0
0.0282 ((max, Vandlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10V)

Voltagem de limiar de entrada (Vandlt;subandgt;Gs(th)andlt;/subandgt): 2V ~ 4V

Tensão máxima da fonte de entrada (Vandlt;subandgt;Gsandlt;/subandgt): e maismn;20V
Mudança Características
Capacidade de entrada (Candlt;subandgt;issandlt;/subandgt;): 1100 pF (típica)

Capacidade de saída (Candlt;subandgt;ossandlt;/subandgt;): 300 pF (típica)

Capacidade de transferência reversa (candlt;subandgt;rssandlt;/subandgt;): 80 pF (típica)

Tempo de atraso de ligação/desligação (tandlt;subandgt;d(on) andlt;/subandgt;/tandlt;subandgt;d(off) andlt;/subandgt): nível de nanossegundos, adequado para comutação de alta frequência

Desempenho térmico
Dissipação de potência máxima (Pandlt;subandgt;Dandlt;/subandgt;): 48W ((@25anddeg;C)

Resistência térmica (Randlt;subandgt;andtheta;JAandlt;/subandgt): 62anddeg;C/W (sem dissipador de calor)

Intervalo de temperatura de funcionamento: -55°C ~ +175°C
Características mecânicas
Tipo de embalagem: TO-252 (DPAK), montado na superfície

Conforme à RoHS, projeto sem chumbo

Baixa Indutância Parasitária, otimizada para layout de PCB

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Informações

Categoria
Mfr
Série
Embalagem
Tape and Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reelandreg;
Estatuto da parte
Atividade
Tipo de FET
Tecnologia
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)
55 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25anddeg;C
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)
10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250andmicro;A
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
e+mn;20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
370 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de energia (máximo)
45 W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA (DPAK)
Embalagem / Caixa
Número do produto de base

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Desenho

IRFR024NTRPBF 55V 24A MOSFET N-Channel com RDS 0,028Ω ultra-baixo ((on), velocidade de comutação rápida 100% Avalanche Tested Compacto DPAK Package livre de chumbo and RoHS Compliant 0

A nossa vantagem:

  • Produtos de alta qualidade --- as nossas ofertas são 100% novas e originais, ROHS
  • Preço competitivo --- bons canais de compra com bom preço.
  • Serviço profissional --- rigoroso teste de qualidade antes do envio, e serviço pós-venda perfeito após a compra.
  • Inventário adequado --- Com o apoio da nossa forte equipa de compras,
  • Entrega rápida --- enviaremos as mercadorias dentro de 1-3 dias úteis após o pagamento confirmado.

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Certifique-se de satisfazer as suas necessidades de todos os tipos de componentes.- Não.


Lista de produtos
Fornecer uma série de componentes eletrônicos, gama completa de semicondutores, componentes ativos e passivos. Podemos ajudá-lo a obter tudo para bom do PCB, em uma palavra, você pode obter uma solução única aqui,


As ofertas incluem:
Circuito integrado, ICs de memória, Diodo, Transistor, Capacitor, Resistor, Varistor, Fuse, Trimmer e Potentiometer, Transformador, Bateria, Cable, Relay, Switch, Connector, Terminal Block,Cristal e amplificadorOscilador, Indutor, Sensor, Transformador, Condutor IGBT, LED, LCD, Convertidor, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte em Marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

Contacto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Mrs. Natasha

Telefone: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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