A PARTE SUPERIOR é um distribuidor profissional dos componentes eletrônicos em China.
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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Avançar, descer. | Configuração de Saída: | Positivo ou Negativo |
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| Topologia: | Buck, impulsionar. | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de Saídas: | 1 | ||
| Destacar: | MOSFET de canal N 24A,MOSFET de canal N em encapsulamento DPAK,IRFR024NTRPBF MOSFET de canal N |
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IRFR024NTRPBF 55V 24A MOSFET N-Channel com Ultra-Low 0.028andOmega; RDS ((on), Velocidade de comutação rápida 100% Avalanche Testado Pacote compacto DPAK Livre de chumbo e compatível com RoHS
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Aplicações
Aplicações de motor de condução escovado
Aplicações de motores de accionamento BLDC
Circuitos a bateria
Topologias de meia ponte e ponte completa
Aplicações de rectificadores síncronos
Fontes de alimentação de modo ressonante
Comutadores de alimentação de funcionamento e redundantes
Conversores DC/DC e AC/DC
Inversores DC/AC
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Benefícios
Melhoria da porta, da avalanche e da dinâmica dV/dt
Robustez Capacidade totalmente caracterizada e Avalanche SOA
Capacidade de diodo de corpo dV/dt e dI/dt melhorada
Sem chumbo
Compatível com a RoHS, sem halogênio
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Características
Características elétricas
MOSFET de canal N, modo de reforço
Voltagem da fonte de descarga (Vandlt;subandgt;DSSandlt;/subandgt): 55V
Corrente de drenagem contínua (terrestre/subterrânea):
34A (@25anddeg;C)
23A (@100anddeg;C)
- Resistência (Randlt;subandgt;DS))
0.0242 (típico, Vandlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10V) 0
0.0282 ((max, Vandlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10V)
Voltagem de limiar de entrada (Vandlt;subandgt;Gs(th)andlt;/subandgt): 2V ~ 4V
Tensão máxima da fonte de entrada (Vandlt;subandgt;Gsandlt;/subandgt): e maismn;20V
Mudança Características
Capacidade de entrada (Candlt;subandgt;issandlt;/subandgt;): 1100 pF (típica)
Capacidade de saída (Candlt;subandgt;ossandlt;/subandgt;): 300 pF (típica)
Capacidade de transferência reversa (candlt;subandgt;rssandlt;/subandgt;): 80 pF (típica)
Tempo de atraso de ligação/desligação (tandlt;subandgt;d(on) andlt;/subandgt;/tandlt;subandgt;d(off) andlt;/subandgt): nível de nanossegundos, adequado para comutação de alta frequência
Desempenho térmico
Dissipação de potência máxima (Pandlt;subandgt;Dandlt;/subandgt;): 48W ((@25anddeg;C)
Resistência térmica (Randlt;subandgt;andtheta;JAandlt;/subandgt): 62anddeg;C/W (sem dissipador de calor)
Intervalo de temperatura de funcionamento: -55°C ~ +175°C
Características mecânicas
Tipo de embalagem: TO-252 (DPAK), montado na superfície
Conforme à RoHS, projeto sem chumbo
Baixa Indutância Parasitária, otimizada para layout de PCB
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Informações
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Categoria
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Mfr
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Série
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Embalagem
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Tape and Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reelandreg;
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Estatuto da parte
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Atividade
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Voltagem de saída para a fonte (Vdss)
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55 V
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Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25anddeg;C
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Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)
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10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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75 mOhm @ 10A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250andmicro;A
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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20 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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e+mn;20V
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Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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370 pF @ 25 V
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Característica FET
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-
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Dissipação de energia (máximo)
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45 W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Grau
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Qualificação
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Tipo de montagem
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Montagem de superfície
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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TO-252AA (DPAK)
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Embalagem / Caixa
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Número do produto de base
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Desenho
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A nossa vantagem:
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Certifique-se de satisfazer as suas necessidades de todos os tipos de componentes.- Não.
Lista de produtos
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