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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente de comutação rápida AEC-Q101 Performance térmica superior qualificada D2PAK-7 Pacote para automóveis e energia

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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente de comutação rápida AEC-Q101 Performance térmica superior qualificada D2PAK-7 Pacote para automóveis e energia

Imagem Grande : CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente de comutação rápida AEC-Q101 Performance térmica superior qualificada D2PAK-7 Pacote para automóveis e energia

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	China
Marca:	TI
Certificação:	CE,ROHS
Número do modelo:	CSD18563Q5A

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1pcs

Contato

Descrição de produto detalhada

Estabilidade de frequência:	± 50 ppm	Tolerância de frequência:	± 30 ppm
Temperatura de Operação:	-40°C ~ 85°C	Capacidade de carga:	18pF
Pacote / Caixa:	HC-49/US	nome:	componentes eletrônicos passivos
Destacar:	MOSFET CSD18563Q5A D2PAK-7 , MOSFET CSD18563Q5A 300A , MOSFET CSD18563Q5A Qualificado AEC-Q101

CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente de comutação rápida AEC-Q101 Performance térmica superior qualificada D2PAK-7 Pacote para automóveis e energia

Características

• Qg e Qgd ultra-bajos

• Diodo corporal macio para reduzir o zumbido

• Baixa resistência térmica

• Avalanche Rated

• Nível de lógica

• Revestimento de terminais sem Pb

• Compatível com a RoHS

• Sem halogênio

• SON5mm×6mmPacote de plástico

Aplicações

FET de lado baixo para conversor de buck industrial

Rectificador síncrono lateral secundário

Controle do motor

Descrição

Este MOSFET de potência de 5,7 mΩ, 60 V SON 5 mm × 6 mm NexFET TM foi projetado para emparelhar com o FET de controle CSD18537NQ5A e atuar como o FET de sincronização para uma solução completa de chipset de conversor industrial.

Informações

Categoria	Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Mfr	Texas Instruments
Série	NexFETTM
Embalagem	Tape and Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Estatuto da parte	Atividade
Tipo de FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)	60 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250μA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de energia (máximo)	3.2W (Ta), 116W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-VSONP (5x6)
Embalagem / Caixa	8-PowerTDFN
Número do produto de base	Ativos de dívida

Desenho

- O que é isso?

1. 10 anos de experiência em componentes; serviço único para lista de BOM; Serviço PCBandPCBA.

2Produzir antena de comunicação, cabo coaxial de RF, conector de RF, terminais.

3Distribuir módulos GSM/GPRS, GPS,3G,4G/LTE.

Os nossos produtos de alta qualidade, preço competitivo e serviço profissional,

Certifique-se de satisfazer as suas necessidades de todos os tipos de componentes.

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Pessoa de Contato: Mrs. Natasha

Telefone: 86-13723770752

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