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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente de comutação rápida AEC-Q101 Performance térmica superior qualificada D2PAK-7 Pacote para automóveis e energia

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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente de comutação rápida AEC-Q101 Performance térmica superior qualificada D2PAK-7 Pacote para automóveis e energia

Imagem Grande : CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente de comutação rápida AEC-Q101 Performance térmica superior qualificada D2PAK-7 Pacote para automóveis e energia

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	China
Marca:	TI
Certificação:	CE,ROHS
Número do modelo:	CSD18563Q5A

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1pcs

Contato

Descrição de produto detalhada

Estabilidade de frequência:	± 50 ppm	Tolerância de frequência:	± 30 ppm
Temperatura de Operação:	-40°C ~ 85°C	Capacidade de carga:	18pF
Pacote / Caixa:	HC-49/US	nome:	componentes eletrônicos passivos
Destacar:	MOSFET CSD18563Q5A D2PAK-7 , MOSFET CSD18563Q5A 300A , MOSFET CSD18563Q5A Qualificado AEC-Q101

CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mandOmega; RDS ((on) 300A Corrente de comutação rápida AEC-Q101 Performance térmica superior qualificada D2PAK-7 Pacote para automóveis e energia

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Características

ebull; Qg e Qgd ultra-bajos

ebull; Diodo corporal macio para redução do zumbido

e bull; baixa resistência térmica

ebull; Avalanche Classificado

E o "Bull", nível lógico.

ebul; Revestimento terminal livre de Pb

ebull; RoHSCompliant

Andbull; isento de halogênio

ebull; SON5mmandtimes;6mmPacote de plástico

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Aplicações

FET de lado baixo para conversor de buck industrial

Rectificador síncrono lateral secundário

Controle do motor

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Descrição

Este 5,7 mandOmega, 60 V SON 5 mm e vezes; 6 mm NexFETandtrade;O MOSFET de potência foi projetado para emparelhar com o FET de controle CSD18537NQ5A e atuar como o FET de sincronização para uma solução completa de chipset de conversor de buck industrial.

enbsp

Informações

Categoria	Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs	enbsp
Mfr	Texas Instruments	enbsp
Série	NexFETandtrade;	enbsp
Embalagem	Tape and Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reelandreg;	enbsp enbsp enbsp
Estatuto da parte	Atividade	enbsp
Tipo de FET	N-canal	enbsp
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)	enbsp
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)	60 V	enbsp
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25anddeg;C	100A (Ta)	enbsp
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)	4.5V, 10V	enbsp
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 18A, 10V	enbsp
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250andmicro;A	enbsp
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	20 nC @ 10 V	enbsp
Vgs (máximo)	e+mn;20V	enbsp
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V	enbsp
Característica FET	-	enbsp
Dissipação de energia (máximo)	3.2W (Ta), 116W (Tc)	enbsp
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)	enbsp
Grau	-	enbsp
Qualificação	-	enbsp
Tipo de montagem	Montagem de superfície	enbsp
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-VSONP (5x6)	enbsp
Embalagem / Caixa	8-PowerTDFN	enbsp
Número do produto de base	Ativos de dívida

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Desenho

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- O que é isso?

1. 10 anos de experiência em componentes; Serviço único para a lista BOM; Serviço PCB e PCBA.

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Certifique-se de satisfazer as suas necessidades de todos os tipos de componentes.

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