A PARTE SUPERIOR é um distribuidor profissional dos componentes eletrônicos em China.
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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | MOSFET IPA60R125P6 600V/125A,MOSFET IPA60R125P6 de Grau Automotivo,IPA60R125P6 |
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IPA60R125P6 MOSFET 600V/125A 60mandOmega; RDS(on) Pacote TO-247 Comutação Rápida Alta Eficiência Grau Automotivo Desempenho Térmico Robusto - Ideal para Acionamentos de Motores e Inversores
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Características
andbull;Maior robustez dv/dt do MOSFET
andbull;Perdas extremamente baixas devido a FOMRdson*Qg e Eoss muito baixos
andbull;Robustez de comutação muito alta
andbull;Fácil de usar/acionar
andbull;Revestimento sem chumbo, composto de moldagem sem halogênio
andbull;Qualificado para aplicações de grau industrial de acordo com JEDEC (J-STD20 e JESD22)
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Aplicações
Estágios PFC, estágios PWM de comutação rígida e estágios de comutação ressonante, por exemplo, PCSilverbox, Adaptador, LCD e PDPTV, Iluminação, Servidor, Telecomunicações e UPS.
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Descrição
CoolMOSandtrade; é uma tecnologia revolucionária para MOSFETs de alta tensão, projetada de acordo com o princípio da superjunção (SJ) e pioneira pela Infineon Technologies. A série CoolMOSandtrade; P6 combina a experiência do principal fornecedor de SJMOSFET com inovação de alta classe. Os dispositivos oferecidos fornecem todos os benefícios de um SJMOSFET de comutação rápida, sem sacrificar a facilidade de uso. Perdas de comutação e condução extremamente baixas tornam a aplicação de comutação ainda mais eficiente, mais compacta, mais leve e mais fria.
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INFORMAÇÕES
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Categoria
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Fabricante
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Série
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Embalagem
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Tubo
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Status da Peça
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Ativo
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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600 V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25anddeg;C
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Tensão de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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125mOhm @ 11.6A, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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4.5V @ 960andmicro;A
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Carga de Porta (Qg) (Máx) @ Vgs
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56 nC @ 10 V
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Vgs (Máx)
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andplusmn;20V
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Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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2660 pF @ 100 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de Potência (Máx)
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34W (Tc)
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Temperatura de Operação
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Grau
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-
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Qualificação
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Tipo de Montagem
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Através do Furo
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Pacote do Dispositivo do Fornecedor
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PG-TO220-FP
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Pacote / Estojo
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Número do Produto Base
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Desenho
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Nossa vantagem:
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Lista de Produtos
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