CSD17309Q3 MOSFET NexFETandtrade; N-Channel de 30V com 3,6mandOmega; RDS(on) 40A Corrente Contínua 175anddeg;C Classificação Pacote SON de 3mmandtimes;3mm Ultra-Baixo Qg Qualificado AEC-Q101 and Sem Chumbo
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Característicasandnbsp;
andbull; Otimizado para Gate Drive de 5V
andbull; Ultra-Baixo Qg e Qgd
andbull; Baixa Resistência Térmica
andbull; Classificado para Avalanche
andbull; Revestimento de Terminal Sem Chumbo
andbull; Conforme RoHS
andbull; Livre de Halogênio
andbull; Pacote Plástico SON de 3,3mmandtimes;3,3mm
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Aplicações
andbull; Notebook Point of Load
andbull; Point of Load Buck Síncrono em Redes,
andnbsp;andnbsp; Telecomunicações e Sistemas de Computação
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Descrição
Este MOSFET de potência NexFET de 30 V, 4,2 m é projetado para minimizar perdas em aplicações de conversão de energia; e otimizado para aplicações de gate drive de 5V.
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INFORMAÇÕES
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Categoria
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Fabricante
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Série
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Embalagem
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Fita e Carretel (TR)
Fita Cortada (CT)
Digi-Reelandreg;
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Status da Peça
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25anddeg;C
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Tensão de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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Carga de Gate (Qg) (Máx) @ Vgs
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Vgs (Máx)
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Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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Recurso FET
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Dissipação de Potência (Máx)
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Temperatura de Operação
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Grau
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Qualificação
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Tipo de Montagem
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Pacote do Dispositivo do Fornecedor
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Pacote / Caixa
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Número do Produto Base
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Desenho
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