A PARTE SUPERIOR é um distribuidor profissional dos componentes eletrônicos em China.
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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | MOSFET NexFET de canal N de 40 V,1.7mΩ RDS ((on) MOSFET,MOSFET qualificado AEC-Q101 |
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CSD17573Q5BT 40V NexFETTM MOSFET N-Channel com 1.7mΩ RDS ((on) 75A Corrente 175°C Baixo Qg 5mm×6mm SON Pacote AEC-Q101 Design qualificado e livre de chumbo
Características
• Baixo Qg e Qgd
• RDS ultra-baixo ligado
• Baixa resistência térmica
• Avalanche Rated
• Revestimento de terminais sem chumbo
• Compatível com a RoHS
• Sem halogênio
• SON5 mm×6 mmPacote de plástico
Aplicações
• Conversor de Buck Sincrônico de Ponto de Carga para aplicações em redes, telecomunicações e sistemas informáticos
• Optimizado para aplicações FET síncronas
Descrição
Este MOSFET de potência de 0,84 mΩ, 30-V, SON 5 mm × 6 mm NexFET TM foi projetado para minimizar as perdas em aplicações de conversão de potência.
Informações
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Categoria
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Mfr
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Série
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Embalagem
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Tape and Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
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Estatuto da parte
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Atividade
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Voltagem de saída para a fonte (Vdss)
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30 V
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Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C
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Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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1mOhm @ 35A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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1.8V @ 250μA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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64 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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± 20V
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Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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9000 pF @ 15 V
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Característica FET
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-
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Dissipação de energia (máximo)
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3.2W (Ta), 195W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grau
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Qualificação
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Tipo de montagem
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Montagem de superfície
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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8-VSON-CLIP (5x6)
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Embalagem / Caixa
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Número do produto de base
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Desenho
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A nossa vantagem:
Certifique-se de satisfazer as suas necessidades de todos os tipos de componentes.- Não.
Lista de produtos
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