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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
|---|---|---|---|
| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | MOSFET NexFET de 25V com AEC-Q101,MOSFET de 4.7mΩ com pulso de 40A,MOSFET com Qg Qgd ultra-baixo |
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| Atributo | Valor |
|---|---|
| Função | Step-Up, Step-Down |
| Configuração de Saída | Positivo ou Negativo |
| Topologia | Buck, Boost |
| Tipo de Saída | Ajustável |
| Número de Saídas | 1 |
CSD17522Q5A 25V/4.7mΩ NexFET MOSFET com 40A Pulse 1.5V Max VGS(th) AEC-Q101 Qualificado Pacote SON 5x6mm Livre de Halogênio e Ultra-Baixo Qg e Qgd
Ponto de Carga de Notebook
Buck Síncrono de Ponto de Carga em Sistemas de Rede, Telecomunicações e Computação
O MOSFET de potência NexFET™ foi projetado para minimizar perdas em aplicações de conversão de energia e otimizado para aplicações de acionamento de gate de 5V.
| Categoria | Produtos de Semicondutores Discretos Transistores FETs, MOSFETs FETs Únicos, MOSFETs |
| Fabricante | Texas Instruments |
| Série | NexFET™ |
| Embalagem | Fita e Carretel (TR) Fita Cortada (CT) Digi-Reel® |
| Status da Peça | Ativo |
| Tipo de FET | Canal N |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Óxido) |
| Tensão Dreno-Fonte (Vdss) | 30 V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 87A (Tc) |
| Tensão de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Máx) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (Máx) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de Gate (Qg) (Máx) @ Vgs | 4.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Máx) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds | 695 pF @ 15 V |
| Característica do FET | - |
| Dissipação de Potência (Máx) | 3W (Ta) |
| Temperatura de Operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grau | - |
| Qualificação | - |
| Tipo de Montagem | Montagem em Superfície |
| Pacote do Dispositivo do Fornecedor | 8-VSONP (5x6) |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN |
| Número do Produto Base | CSD17522 |
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