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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | MOSFET de canal duplo N+P 20V SOIC-8,MOSFET de Potência de Comutação Rápida de Nível Lógico,Gestão IC do poder da eficiência elevada |
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| Função | Step-Up, Step-Down |
| Configuração de Saída | Positivo ou Negativo |
| Topologia | Buck, Boost |
| Tipo de Saída | Ajustável |
| Número de Saídas | 1 |
Este MOSFET de Potência HEXFET® apresenta configuração de canal N+P duplo com corrente nominal de ±5,3A e tensão de 20V no encapsulamento SOIC-8. Com Rds(on) ultra-baixo de 0,045Ω e nível lógico de 1,8V, oferece comutação rápida e alta eficiência para aplicações de gerenciamento de energia, economizando espaço.
| Categoria | Produtos de Semicondutores Discretos > Transistores > FETs, MOSFETs |
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Série | HEXFET® |
| Embalagem | Fita e Carretel (TR) Fita Cortada (CT) Digi-Reel® |
| Status da Peça | Obsoleto |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnologia | MOSFET (Óxido de Metal) |
| Tensão Dreno-Fonte (Vdss) | 12 V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C | 11,5A (Tc) |
| Tensão de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8V, 4,5V |
| Rds On (Máx) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 11,5A, 4,5V |
| Vgs(th) (Máx) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Carga da Porta (Qg) (Máx) @ Vgs | 38 nC @ 4,5 V |
| Vgs (Máx) | ±8V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| Dissipação de Potência (Máx) | 2,5W (Ta) |
| Temperatura de Operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de Montagem | Montagem em Superfície |
| Encapsulamento do Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
| Encapsulamento / Caixa | 8-SOIC (0,154", 3,90mm de Largura) |
| Número do Produto Base | IRF7420 |
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