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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | MOSFET de canal duplo N+P 20V SOIC-8,MOSFET de Potência de Comutação Rápida de Nível Lógico,Gestão IC do poder da eficiência elevada |
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| Função | Avançar, descer. |
| Configuração de saída | Positivo ou negativo |
| Topologia | Buck, impulsionar. |
| Tipo de saída | Ajustável |
| Número de saídas | 1 |
Este HEXFET® Power MOSFET possui configuração de canal duplo N + P com corrente nominal de ± 5,3A e tensão de 20V no pacote SOIC-8.Oferece comutação rápida e alta eficiência para aplicações de gestão de energia, economizando espaço.
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos>Transistores>FET, MOSFET |
| Fabricante | Tecnologias Infineon |
| Série | HEXFET® |
| Embalagem | Tape and Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Estatuto da parte | Obsoletos |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 12 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 11,5A, 4,5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900 mV @ 250 μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 38 nC @ 4,5 V |
| Vgs (máximo) | ± 8V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3529 pF @ 10 V |
| Dissipação de energia (máximo) | 2.5W (Ta) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO |
| Embalagem / Caixa | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) |
| Número do produto de base | IRF7420 |
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