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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | 190A Potência MOSFET 100V,MOSFET TO-264 com Rds (on) ultra-baixo,MOSFET de potência de alta densidade de potência |
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IRFI4019HG-117P MOSFET de Potência 190A 100V Ultra-Baixo Rds(on) 1.9mΩ TO-264 Desempenho Robusto de Alta Eficiência Gerenciamento Térmico Superior e Alta Densidade de Potência para Aplicações Exigentes
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Características
Pacote Half-Bridge Integrado
Reduz a Contagem de Peças pela Metade
Facilita um Melhor Layout de PCB
Parâmetros Chave Otimizados para Aplicações de Amplificadores de Áudio Classe D
Baixo RDS(ON) para Melhor Eficiência
Baixo Qg e Qsw para Melhor THD e Eficiência Aprimorada
Baixo Qrr para Melhor THD e Menos EMI
Pode Fornecer até 200W por Canal em uma Carga de 8Ω em um Amplificador de Configuração Half-Bridge
Pacote Sem Chumbo
Sem Halogênio
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Aplicações
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Descrição
Este Half-Bridge MosFET de Áudio Digital é projetado especificamente para aplicações de amplificadores de áudio Classe D. Consiste em duas chaves MosFET de potência conectadas em configuração half-bridge. O processo mais recente é usado para obter baixa resistência em área de silício. Além disso, a carga da porta, a recuperação reversa do diodo do corpo e a resistência interna da porta são otimizadas para melhorar os principais fatores de desempenho do amplificador de áudio Classe D, como eficiência, THD e EMI. Estes se combinam para tornar este Half-Bridge um dispositivo altamente eficiente, robusto e confiável para aplicações de amplificadores de áudio Classe D.
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INFORMAÇÕES
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Categoria
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Fabricante
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Infineon Technologies
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Série
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-
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Embalagem
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Tubo
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Status da Peça
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Obsoleto
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Tecnologia
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MOSFET (Óxido de Metal)
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Configuração
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2 N-Channel (Duplo)
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Recurso FET
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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150V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25anddeg;C
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8.7A
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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95mOhm @ 5.2A, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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4.9V @ 50andmicro;A
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Carga da Porta (Qg) (Máx) @ Vgs
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20nC @ 10V
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Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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810pF @ 25V
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Potência - Máx
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18W
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Temperatura de Operação
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Tipo de Montagem
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Através do Orifício
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Pacote / Estojo
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TO-220-5 Full Pack, Terminais Moldados
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Pacote do Dispositivo do Fornecedor
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TO-220-5 Full-Pak
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Número do Produto Base
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Desenho
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Nossa vantagem:
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Lista de Produtos
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