A PARTE SUPERIOR é um distribuidor profissional dos componentes eletrônicos em China.
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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | N-canal 20V MOSFET SOT-23,3.7A MOSFET RDS ultra-baixo (a),Motor de porta de nível lógico MOSFET |
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SI2304DS, MOSFET N-Channel 20V 3.7A com RDS(on) Ultra-Baixo de 45mandOmega; Pacote SOT-23 Gerenciamento de Energia de Alta Performance e Eficiência Aprimorada e Acionamento de Gate em Nível Lógico para Designs com Restrições de Espaço
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Características
Tecnologia TrenchMOSandtrade;
Comutação muito rápida
Pacote de montagem em superfície subminiatura.
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Aplicações
Gerenciamento de bateria
Interruptor de alta velocidade
Conversor DC-DC de baixa potência.
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Descrição
Transistor de efeito de campo de modo de aprimoramento de canal N em um pacote plástico usando a tecnologia TrenchMOSandtrade;1
Disponibilidade do produto: SI2304DS em SOT23.
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INFORMAÇÕES
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Categoria
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Fabricante
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Série
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Embalagem
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Fita e Carretel (TR)
Fita Cortada (CT)
Digi-Reelandreg;
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Status da Peça
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Obsoleto
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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30 V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25anddeg;C
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Tensão de Acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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117mOhm @ 500mA, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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2V @ 1mA
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Carga de Gate (Qg) (Máx) @ Vgs
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4.6 nC @ 10 V
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Vgs (Máx)
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andplusmn;20V
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Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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195 pF @ 10 V
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Recurso FET
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-
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Dissipação de Potência (Máx)
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830mW (Tc)
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Temperatura de Operação
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-65anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Grau
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-
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Qualificação
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-
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Tipo de Montagem
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Montagem em Superfície
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Pacote do Dispositivo do Fornecedor
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TO-236AB
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Pacote / Caixa
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Desenho
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Nossa vantagem:
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Lista de Produtos
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Forte em Marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.
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