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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | MOSFET N-Channel 20V 3A,MOSFET de ultra baixa RDS(on) de 40mΩ,MOSFET de nível lógico em encapsulamento SOT-23 |
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SSM3K361R,LF N-Channel 20V 3A MOSFET com ultra-baixo 40mΩ RDS ((on) SOT-23 Pacote Alta densidade de potência Eficiência superior Comutação rápida e controle de nível lógico para projetos compactos
Características
AEC-Q101 qualificado (consulte a lista de números de peças ordenáveis)
175°C MOSFET
4Motor de 5 V
Resistência de baixa fonte de drenagem:
RDS ((ON) = 65 mΩ (tipo) (@VGS = 4,5 V)
RDS ((ON) = 51 mΩ (típico) (@VGS = 10 V)
Aplicações
• Interruptores de gestão de energia
• Conversores CC-DC
Descrição
SSM3K361R, LFÉ um transistor de efeito de campo de modo de aumento de N-canal (MOSFET) projetado num pacote compacto de montagem de superfície SOT-23.Ele é projetado para fornecer alta eficiência e densidade de energia em um espaço mínimo da placa, tornando-a uma solução ideal para uma ampla gama de aplicações de gestão de energia e comutação em dispositivos eletrónicos portáteis e de espaço limitado.
Informações
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Categoria
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Mfr
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Série
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Embalagem
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Tape and Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
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Estatuto da parte
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Atividade
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Voltagem de saída para a fonte (Vdss)
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100 V
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Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C
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Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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69 mOhm @ 2A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2.5V @ 100μA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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3.2 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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± 20V
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Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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430 pF @ 15 V
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Característica FET
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-
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Dissipação de energia (máximo)
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1.2W (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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175°C
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Grau
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-
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Qualificação
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-
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Tipo de montagem
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Montagem de superfície
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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SOT-23F
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Embalagem / Caixa
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Número do produto de base
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Desenho
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Lista de produtos
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