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BSS123LT1G MOSFET N-Channel Low 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal para comutação de carga de comutação de baixa potência e conversão DC-DC com seu pacote SOT-23 e proteção ESD

CHINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificações
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BSS123LT1G MOSFET N-Channel Low 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal para comutação de carga de comutação de baixa potência e conversão DC-DC com seu pacote SOT-23 e proteção ESD

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Imagem Grande :  BSS123LT1G MOSFET N-Channel Low 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal para comutação de carga de comutação de baixa potência e conversão DC-DC com seu pacote SOT-23 e proteção ESD

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CHINA
Marca: ON Semiconductor
Certificação: CE, GCF, ROHS
Número do modelo: BSS123LT1G
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: negotiable
Detalhes da embalagem: Embalado na bandeja original primeiro, depois a caixa, finalmente a bolsa de bolha para embalagem ex
Tempo de entrega: 3-5 dias úteis após receber o pagamento
Termos de pagamento: T/T, Western Union,
Habilidade da fonte: 1000pcs por mês
Descrição de produto detalhada
Função: Advertido, intensificador Configuração de saída: Positivo ou negativo
Topologia: Buck, Boost Tipo de saída: Ajustável
Número de saídas: 1
Destacar:

N-Channel MOSFET 20V VDS

,

low power switching MOSFET

,

SOT-23 package MOSFET

BSS123LT1G MOSFET N-Channel Low 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal para comutação de carga de comutação de baixa potência e conversão DC-DC com seu pacote SOT-23 e proteção ESD

Características

•HBM classe 0A, MM classe M1B (Nota 4)

•Prefixo BVSS para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo; AEC-Q101 Qualificado e com capacidade PPAP

•Estes dispositivos são livres de Pb− e são compatíveis com a RoHS

Aplicações

  • Troca de carga:Força de regulação de ligação/desligação de secções de um circuito.

  • Mudança de nível:Conversão de sinais entre circuitos de diferentes domínios de tensão (por exemplo, conversão de um sinal de 3,3 V para 5 V).

  • Direção LED:Funcionando como interruptor para controlar os estados de ligação/desligação do LED ou para dimming PWM simples.

  • Interface lógica de amortecimento/condução:Melhoria da capacidade de condução dos pinos GPIO do microcontrolador para conduzir cargas maiores.

  • Comutação de alta velocidade:Utilizado na retificação síncrona de lado secundário em fontes de alimentação de modo de comutação, conversores DC-DC (baixa potência).

  • Eletrônicos de consumo:Dispositivos portáteis como telemóveis, tablets, câmaras digitais.

  • Eletrónica automóvel:Módulos de controlo do corpo, interfaces de sensores, etc. (Nota: Verificar se a peça específica possui qualificação AEC; o BSS123LT1G é tipicamente de qualidade industrial/comercial).

Descrição

1:Voltagem de limiar inferior (Vgs(th)):Normalmente entre 1,6V e 2,1V, o que significa que pode ser conduzido diretamente por baixas tensões (por exemplo, 3,3V ou mesmo 2,5V

GPIO de um microcontrolador), tornando-o ideal para aplicações de nível lógico.

2:Resistência de ligação baixa (RDS(on)):Máximo de apenas 6Ω a 10V Vgs e 10Ω a 4,5V Vgs. Uma RDS mais baixa significa menos perda de potência e tensão

A redução da velocidade da luz quando ligada, conduzindo a uma maior eficiência.

3:Pacote pequeno (SOT-23):Muito pequena pegada, poupando espaço em PCB, ideal para eletrónica compacta moderna.

4Performance de comutação de alta velocidade:Características de velocidades de comutação rápidas, adequadas para aplicações que requerem comutação frequente, tais como PWM

Controle.

5:Corrente de escoamento contínua (Id):Até 170 mA, adequado para controlar pequenas cargas como LEDs, pequenos relés, motores, etc.

6:Tensão da fonte de descarga (Vdss):Máximo de 100 V, permitindo a sua utilização em circuitos com tensões relativamente mais elevadas.

Informações

Categoria
Mfr
Série
-
Embalagem
Tape and Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Estatuto da parte
Atividade
Tipo de FET
Tecnologia
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)
100 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)
10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohms @ 100 mA, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Vgs (máximo)
± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
20 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de energia (máximo)
225 mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Embalagem / Caixa
Número do produto de base

Desenho

BSS123LT1G MOSFET N-Channel Low 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal para comutação de carga de comutação de baixa potência e conversão DC-DC com seu pacote SOT-23 e proteção ESD 0

A nossa vantagem:telefones, PDA's, notebooks

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Certifique-se de satisfazer as suas necessidades de todos os tipos de componentes.- Não.


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Fornecer uma série de componentes eletrônicos, gama completa de semicondutores, componentes ativos e passivos. Podemos ajudá-lo a obter tudo para bom do PCB, em uma palavra, você pode obter uma solução única aqui,


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Circuito integrado, ICs de memória, diodo, transistor, condensador, resistor, varistor, fusível, trimmer e potenciômetro, transformador, bateria, cabo, relé, interruptor, conector, bloco terminal,Cristal e oscilador, Indutor, Sensor, Transformador, Condutor IGBT, LED,LCD, Conversor, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte em Marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.

Contacto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Pessoa de Contato: Mrs. Natasha

Telefone: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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