A PARTE SUPERIOR é um distribuidor profissional dos componentes eletrônicos em China.
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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | N-Channel MOSFET 20V VDS,low power switching MOSFET,SOT-23 package MOSFET |
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BSS123LT1G MOSFET N-Channel Low 170mΩ RDS ((on) 20V VDS 100V Avalanche Rated Ideal para comutação de carga de comutação de baixa potência e conversão DC-DC com seu pacote SOT-23 e proteção ESD
Características
•HBM classe 0A, MM classe M1B (Nota 4)
•Prefixo BVSS para aplicações automotivas e outras que exijam requisitos únicos de alteração de local e controlo; AEC-Q101 Qualificado e com capacidade PPAP
•Estes dispositivos são livres de Pb− e são compatíveis com a RoHS
Aplicações
Troca de carga:Força de regulação de ligação/desligação de secções de um circuito.
Mudança de nível:Conversão de sinais entre circuitos de diferentes domínios de tensão (por exemplo, conversão de um sinal de 3,3 V para 5 V).
Direção LED:Funcionando como interruptor para controlar os estados de ligação/desligação do LED ou para dimming PWM simples.
Interface lógica de amortecimento/condução:Melhoria da capacidade de condução dos pinos GPIO do microcontrolador para conduzir cargas maiores.
Comutação de alta velocidade:Utilizado na retificação síncrona de lado secundário em fontes de alimentação de modo de comutação, conversores DC-DC (baixa potência).
Eletrônicos de consumo:Dispositivos portáteis como telemóveis, tablets, câmaras digitais.
Eletrónica automóvel:Módulos de controlo do corpo, interfaces de sensores, etc. (Nota: Verificar se a peça específica possui qualificação AEC; o BSS123LT1G é tipicamente de qualidade industrial/comercial).
Descrição
1:Voltagem de limiar inferior (Vgs(th)):Normalmente entre 1,6V e 2,1V, o que significa que pode ser conduzido diretamente por baixas tensões (por exemplo, 3,3V ou mesmo 2,5V
GPIO de um microcontrolador), tornando-o ideal para aplicações de nível lógico.
2:Resistência de ligação baixa (RDS(on)):Máximo de apenas 6Ω a 10V Vgs e 10Ω a 4,5V Vgs. Uma RDS mais baixa significa menos perda de potência e tensão
A redução da velocidade da luz quando ligada, conduzindo a uma maior eficiência.
3:Pacote pequeno (SOT-23):Muito pequena pegada, poupando espaço em PCB, ideal para eletrónica compacta moderna.
4Performance de comutação de alta velocidade:Características de velocidades de comutação rápidas, adequadas para aplicações que requerem comutação frequente, tais como PWM
Controle.
5:Corrente de escoamento contínua (Id):Até 170 mA, adequado para controlar pequenas cargas como LEDs, pequenos relés, motores, etc.
6:Tensão da fonte de descarga (Vdss):Máximo de 100 V, permitindo a sua utilização em circuitos com tensões relativamente mais elevadas.
Informações
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Categoria
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Mfr
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Série
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-
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Embalagem
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Tape and Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
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Estatuto da parte
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Atividade
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Tipo de FET
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Tecnologia
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Voltagem de saída para a fonte (Vdss)
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100 V
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Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C
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Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)
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10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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6 Ohms @ 100 mA, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2.6V @ 1mA
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Vgs (máximo)
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± 20V
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Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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20 pF @ 25 V
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Característica FET
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-
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Dissipação de energia (máximo)
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225 mW (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grau
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-
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Qualificação
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-
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Tipo de montagem
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Montagem de superfície
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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SOT-23-3 (TO-236)
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Embalagem / Caixa
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Número do produto de base
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Desenho
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