IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 Alta Velocidade 10ns SRAM 3.3V Operação Temperatura Industrial de Baixa Potência (-40°C a +85°C) Pacote BGA de 48 bolas Operação assíncrona Alta Confiabilidade retenção de dados

IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 Alta Velocidade 10ns SRAM 3.3V Operação Temperatura Industrial de Baixa Potência (-40°C a +85°C) Pacote BGA de 48 bolas Operação assíncrona Alta Confiabilidade

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Características

Andbull; Tempos de acesso de alta velocidade: 8, 10, 20 ns

Processo CMOS de baixo consumo e alto desempenho

e-bull; múltipla potência central e pinos de terra para maior e-ruído imunidade

andbull; fácil expansão da memória com opções CE e OE

e bull; CE power-down

andbull; Função totalmente estática: não é necessário relógio ou atualização

andbull; entradas e saídas compatíveis com o TTL

ebull; fonte de alimentação única

enbsp; Vdd 1,65V a 2,2V (IS61WV102416ALL)

enbsp; velocidade = 20ns para

enbsp; Vdd 1,65V a 2,2V Vdd 2,4V a 3,6V (IS61/64WV102416BLL)

enbsp; velocidade = 10ns para Vdd 2,4 V a 3,6 V

enbsp; velocidade = 8ns para Vdd 3,3V + 5%

Pacotes disponíveis:

e   e – miniBGA de 48 bolas (9mm x 11mm)

Sistema de transmissão de rede de 48 pinos (tipo I)

Suporte de temperatura industrial e automóvel

ebull; livre de chumbo disponível

andbull; Controle de dados para bytes superiores e inferiores

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Aplicações

1Automatização industrial (PLC, robótica)

2:Eletrónica automóvel (ECU, ADAS)

3Equipamento de rede (routers, switches)

4:Sistemas integrados (processamento de áudio/vídeo, aeroespacial)

5:Buffering/caching de dados de alta velocidade

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Descrição

O ISSI IS61WV102416ALL/BLL e IS64WV102416BLL são RAMs estáticas de 16M bits de alta velocidade organizadas como 1024K palavras por 16 bits.Este processo altamente fiável, juntamente com técnicas inovadoras de projeto de circuitos, produz dispositivos de alto desempenho e baixo consumo de energia.

Quando o CE está em HIGH (deselecionado), o dispositivo assume um modo de espera no qual a dissipação de energia pode ser reduzida com os níveis de entrada CMOS.

A expansão de memória fácil é fornecida usando as entradas Chip Enable e Output Enable, CE e OE. O ativo LOW Write Enable (WE) controla tanto a escrita quanto a leitura da memória.Um byte de dados permite o acesso ao Byte Superior (UB) e ao Byte Inferior (LB).

O dispositivo está embalado no padrão JEDEC de 48 pinos TSOP Tipo I e Mini BGA de 48 pinos (9mm x 11mm).

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Informações

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Desenho

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