IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 Alta Velocidade 10ns SRAM 3.3V Operação Temperatura Industrial de Baixa Potência (-40°C a +85°C) Pacote BGA de 48 bolas Operação assíncrona Alta Confiabilidade retenção de dados

IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 Alta Velocidade 10ns SRAM 3.3V Operação Temperatura Industrial de Baixa Potência (-40°C a +85°C) Pacote BGA de 48 bolas Operação assíncrona Alta Confiabilidade retenção de dados

Características

• Tempos de acesso de alta velocidade: 8, 10, 20 ns

• Processo CMOS de baixo consumo e alto desempenho

• Múltiplas fontes de energia centrais e pinos de terra para maior imunidade ao ruído

• Fácil expansão da memória com opções CE e OE

• Desligação de energia CE

• Função totalmente estática: não é necessário cronometrar ou atualizar

• Entradas e saídas compatíveis com o TTL

• Fornecimento único de energia

Vdd 1,65 V a 2,2 V (IS61WV102416ALL)

velocidade = 20 ns para

Vdd 1,65 V a 2,2 V Vdd 2,4 V a 3,6 V (IS61/64WV102416BLL)

Velocidade = 10ns para Vdd de 2,4 V a 3,6 V

Velocidade = 8ns para Vdd 3,3 V + 5%

• Pacotes disponíveis:

- 48 bolas miniBGA (9mm x 11mm)

¢ TSO de 48 pinos (tipo I)

• Suporte de temperatura industrial e automóvel

• Disponível sem chumbo

• Controle de dados para bytes superiores e inferiores

Aplicações

1Automatização industrial (PLC, robótica)

2:Eletrónica automóvel (ECU, ADAS)

3Equipamento de rede (routers, switches)

4:Sistemas integrados (processamento de áudio/vídeo, aeroespacial)

5:Buffering/caching de dados de alta velocidade

Descrição

O ISSI IS61WV102416ALL/BLL e IS64WV102416BLL são RAMs estáticas de 16M-bit de alta velocidade organizadas como 1024K palavras por 16 bits.Este processo altamente fiável, juntamente com técnicas inovadoras de projeto de circuitos, produz dispositivos de alto desempenho e baixo consumo de energia.

Quando o CE está em HIGH (deselecionado), o dispositivo assume um modo de espera no qual a dissipação de energia pode ser reduzida com os níveis de entrada CMOS.

A expansão de memória fácil é fornecida usando as entradas Chip Enable e Output Enable, CE e OE. O ativo LOW Write Enable (WE) controla tanto a escrita quanto a leitura da memória.Um byte de dados permite o acesso ao Byte Superior (UB) e ao Byte Inferior (LB).

O dispositivo está embalado no padrão JEDEC de 48 pinos TSOP Tipo I e Mini BGA de 48 pinos (9mm x 11mm).

Informações

Desenho

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