FM25CL64B-GTR 64Kb Serial F-RAM com 20MHz SPI No-Delay Writes 10^14 Endurance 151-Year Data Retention 2.0-3.6V Operação -40°C a +85°C e Small SOIC Package

FM25CL64B-GTR F-RAM Serial de 64Kb com SPI de 20MHz, Sem Atraso nas Gravações, 10^14 de Resistência, Retenção de Dados de 151 Anos, Operação de 2.0-3.6V, -40°C a +85°C e Pacote SOIC Pequeno

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Características

■ Memória de acesso aleatório ferroelétrica (F-RAM) de 64 Kbit, organizada logicamente como 8K andtimes; 8

andnbsp; ❐ Alta resistência de 100 trilhões (1014) leituras/gravações

andnbsp; ❐ Retenção de dados de 151 anos (Consulte Retenção de Dados e Resistência na página 12)

andnbsp; ❐ Gravações NoDelayandtrade;

andnbsp; ❐ Processo ferroelétrico avançado de alta confiabilidade

■ Interface periférica serial (SPI) muito rápida

andnbsp; ❐ Frequência de até 20 MHz

andnbsp; ❐ Substituição direta de hardware para flash serial e EEPROM

andnbsp; ❐ Suporta modo SPI 0 (0, 0) e modo 3 (1, 1)

■ Esquema de proteção contra gravação sofisticado

andnbsp; ❐ Proteção de hardware usando o pino Write Protect (WP)

andnbsp; ❐ Proteção de software usando a instrução Write Disable

andnbsp; ❐ Proteção de bloco de software para 1/4, 1/2 ou matriz inteira

■ Baixo consumo de energia

andnbsp; ❐ 200 A de corrente ativa a 1 MHz

andnbsp; ❐ 3 A (típico) de corrente em espera

■ Operação de baixa tensão: VDD = 2,7 V a 3,65 V

■ Temperatura industrial: andndash;40 C a +85 C

■ Pacotes

andnbsp; ❐ Pacote de circuito integrado de contorno pequeno (SOIC) de 8 pinos

andnbsp; ❐ Pacote fino de dupla face plana sem terminais (DFN) de 8 pinos

■ Conformidade com a restrição de substâncias perigosas (RoHS)

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Aplicações

1. Sistemas de Automação e Controle Industrial

Exemplos: CLPs (Controladores Lógicos Programáveis), sensores inteligentes, acionamentos de motores, robôs industriais.

Por que é adequado: Esses sistemas precisam registrar continuamente e rapidamente parâmetros operacionais, logs de eventos, dados de falhas ou contagens de produção. A ultra-alta resistência da F-RAM e as gravações rápidas e sem atrasos garantem que os dados críticos sejam salvos completamente, mesmo no momento da perda de energia, evitando a perda de dados devido a atrasos na gravação.

2. Eletrônica Automotiva

Exemplos: Gravadores de Dados de Eventos (EDR) em ADAS, caixas pretas automotivas, painéis de instrumentos, módulos de controle da carroceria.

Por que é adequado: Requer o registro instantâneo de grandes quantidades de dados de sensores durante um acidente ou perda repentina de energia. A característica de gravação rápida da F-RAM é ideal. Sua alta resistência também é adequada para dados atualizados com frequência, como quilometragem ou contagens de abertura/fechamento de portas.

3. Equipamentos Médicos

Exemplos: Monitores médicos portáteis (por exemplo, medidores de glicose, monitores de frequência cardíaca), dispositivos implantáveis, equipamentos de diagnóstico.

Por que é adequado: Os dispositivos precisam registrar de forma confiável dados do paciente, logs de uso e informações de calibração. O baixo consumo de energia e a alta confiabilidade da F-RAM são cruciais para a segurança dos dados e a operação estável a longo prazo.

4. Sistemas Inteligentes de Medição e Medição

Exemplos: Medidores de eletricidade inteligentes, medidores de água, medidores de gás.

Por que é adequado: Requer a atualização dos dados de uso cumulativo a cada poucos segundos e a salvaguarda instantânea do valor final antes da perda de energia. As gravações diárias frequentes são um desafio significativo para a EEPROM, mas não são um problema para a F-RAM.

5. Data Loggers

Exemplos: Monitoramento ambiental (registradores de temperatura, umidade, pressão), rastreadores GPS.

Por que é adequado: Essas aplicações exigem o registro contínuo de fluxos de dados em altas frequências. A alta velocidade de gravação e a resistência infinita da F-RAM permitem o registro de dados contínuo sem o risco de perda de dados ou gargalos causados por atrasos de gravação inerentes à EEPROM.

6. Eletrônicos de Consumo de Alta Qualidade

Exemplos: Equipamentos de áudio profissionais, hubs domésticos inteligentes, periféricos de jogos.

Por que é adequado: Quando é necessário salvar rapidamente as configurações do usuário, o estado do jogo ou dados de sensores em tempo real, a F-RAM oferece uma experiência mais suave e confiável do que a EEPROM.

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Descrição

O FM25CL64B é uma memória não volátil de 64 Kbit que emprega um processo ferroelétrico avançado. Uma memória de acesso aleatório ferroelétrica ou F-RAM é não volátil e executa leituras e gravações semelhantes a uma RAM. Ele fornece retenção de dados confiável por 151 anos, eliminando as complexidades, a sobrecarga e os problemas de confiabilidade em nível de sistema causados por flash serial, EEPROM e outras memórias não voláteis.

Ao contrário do flash serial e da EEPROM, o FM25CL64B executa operações de gravação na velocidade do barramento. Nenhum atraso de gravação é incorrido. Os dados são gravados na matriz de memória imediatamente após cada byte ser transferido com sucesso para o dispositivo. O próximo ciclo de barramento pode começar sem a necessidade de sondagem de dados. Além disso, o produto oferece resistência substancial à gravação em comparação com outras memórias não voláteis. O FM25CL64B é capaz de suportar 1014 ciclos de leitura/gravação, ou 100 milhões de vezes mais ciclos de gravação do que a EEPROM.

Esses recursos tornam o FM25CL64B ideal para aplicações de memória não volátil que exigem gravações frequentes ou rápidas. Os exemplos variam de coleta de dados, onde o número de ciclos de gravação pode ser crítico, a controles industriais exigentes, onde o longo tempo de gravação do flash serial ou da EEPROM pode causar perda de dados.

O FM25CL64B oferece benefícios substanciais aos usuários de EEPROM serial ou flash como uma substituição de hardware. O FM25CL64B usa o barramento SPI de alta velocidade, que aprimora a capacidade de gravação de alta velocidade da tecnologia F-RAM. As especificações do dispositivo são garantidas em uma faixa de temperatura industrial de andndash;40 C a +85 C.

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INFORMAÇÕES

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