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MOSFET de potência ultra-baixa de 0,0015Ω em PQFN duplo com classificação de avalanche AEC-Q101 175 °C -40V/-30V Nível lógico e sem halogênio para conversão de potência de alta eficiência

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MOSFET de potência ultra-baixa de 0,0015Ω em PQFN duplo com classificação de avalanche AEC-Q101 175 °C -40V/-30V Nível lógico e sem halogênio para conversão de potência de alta eficiência

Imagem Grande : MOSFET de potência ultra-baixa de 0,0015Ω em PQFN duplo com classificação de avalanche AEC-Q101 175 °C -40V/-30V Nível lógico e sem halogênio para conversão de potência de alta eficiência

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	CHINA
Marca:	Infineon
Certificação:	CE, GCF, ROHS
Número do modelo:	IRF7351TRPBF

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	negotiable
Detalhes da embalagem:	Embalado na bandeja original primeiro, depois a caixa, finalmente a bolsa de bolha para embalagem ex
Tempo de entrega:	3-5 dias úteis após receber o pagamento
Termos de pagamento:	T/T, Western Union,
Habilidade da fonte:	1000pcs por mês

Contato

Descrição de produto detalhada

Função:	Advertido, intensificador	Configuração de saída:	Positivo ou negativo
Topologia:	Buck, Boost	Tipo de saída:	Ajustável
Número de saídas:	1
Destacar:	MOSFET de Potência Ultra-Baixo 0 , 0015Ω , MOSFET com Classificação de Avalanche AEC-Q101

MOSFET de Potência Ultra-Baixo 0,0015andOmega; em PQFN Duplo com Classificação de Avalanche AEC-Q101 175anddeg;C -40V/-30V Nível Lógico e Livre de Halogênio para Conversão de Energia de Alta Eficiência

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Características

Impedância de Gate Ultra-Baixa

Tensão e Corrente de Avalanche Totalmente Caracterizadas

Classificação Máxima de Gate de 20V VGS

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Aplicações

MOSFET Retificador Síncrono para Conversores DC-DC Isolados

Sistemas de Acionamento de Motor de Baixa Potência

andnbsp;

Descrição

O IRF7351TRPBF é um MOSFET de canal N duplo de alto desempenho da Infineon Technologies, integrado em um pacote PQFN compacto de 5x6 mm. Ele é projetado especificamente para conversores buck síncronos e outras aplicações de gerenciamento de energia que exigem alta eficiência e alta densidade de potência.

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INFORMAÇÕES

Categoria	Produtos de Semicondutores Discretos Transistores FETs, MOSFETs Arrays de FET, MOSFET	andnbsp;
Fabricante	Infineon Technologies	andnbsp;
Série	HEXFETandreg;	andnbsp;
Embalagem	Fita e Carretel (TR) Fita Cortada (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Status da Peça	Ativo	andnbsp;
Tecnologia	MOSFET (Óxido de Metal)	andnbsp;
Configuração	2 N-Channel (Duplo)	andnbsp;
Recurso FET	Gate de Nível Lógico	andnbsp;
Tensão Dreno-Fonte (Vdss)	60V	andnbsp;
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25anddeg;C	8A	andnbsp;
Rds On (Máx) @ Id, Vgs	17.8mOhm @ 8A, 10V	andnbsp;
Vgs(th) (Máx) @ Id	4V @ 50andmicro;A	andnbsp;
Carga de Gate (Qg) (Máx) @ Vgs	36nC @ 10V	andnbsp;
Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds	1330pF @ 30V	andnbsp;
Potência - Máx	2W	andnbsp;
Temperatura de Operação	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Tipo de Montagem	Montagem em Superfície	andnbsp;
Pacote / Caixa	8-SOIC (0,154", Largura de 3,90mm)	andnbsp;
Pacote do Dispositivo do Fornecedor	8-SO	andnbsp;
Número do Produto Base	IRF7351

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Desenho

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Forte em Marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc

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etiqueta:

Pessoa de Contato: Mrs. Natasha

Telefone: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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LM3410YSD/NOPB Conversor Buck de 1,6MHz 2,7-5,5V Entrada 750mA Saída 92% Eficiência Pacote SOT-23-5 Interruptor Interno 1μA Desligamento -40°C a +125°C para Dispositivos Portáteis

Função: Advertido, intensificador