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Detalhes do produto:
Condições de Pagamento e Envio:
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| Função: | Advertido, intensificador | Configuração de saída: | Positivo ou negativo |
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| Topologia: | Buck, Boost | Tipo de saída: | Ajustável |
| Número de saídas: | 1 | ||
| Destacar: | MOSFET de Potência Ultra-Baixo 0,0015Ω,MOSFET com Classificação de Avalanche AEC-Q101 |
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MOSFET de Potência Ultra-Baixa 0,0015Ω em PQFN Duplo com Classificação de Avalanche AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nível Lógico e Livre de Halogênio para Conversão de Energia de Alta Eficiência
Características
Impedância de Gate Ultra-Baixa
Tensão e Corrente de Avalanche Totalmente Caracterizadas
Classificação Máxima de Gate VGS de 20V
Aplicações
MOSFET Retificador Síncrono para Conversores DC-DC Isolados
Sistemas de Acionamento de Motor de Baixa Potência
Descrição
O IRF7351TRPBF é um MOSFET de canal N duplo de alto desempenho da Infineon Technologies, integrado em um pacote PQFN compacto de 5x6 mm. Ele é projetado especificamente para conversores buck síncronos e outras aplicações de gerenciamento de energia que exigem alta eficiência e alta densidade de potência.
INFORMAÇÕES
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Categoria
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Fabricante
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Infineon Technologies
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Série
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Embalagem
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Fita e Bobina (TR)
Fita Cortada (CT)
Digi-Reel®
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Status da Peça
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Ativo
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Tecnologia
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MOSFET (Metal Óxido)
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Configuração
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2 Canais N (Duplo)
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Recurso FET
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Gate de Nível Lógico
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Tensão Dreno-Fonte (Vdss)
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60V
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
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8A
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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17,8mOhm @ 8A, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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4V @ 50µA
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Carga de Gate (Qg) (Máx) @ Vgs
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36nC @ 10V
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Capacitância de Entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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1330pF @ 30V
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Potência - Máx
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2W
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Temperatura de Operação
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de Montagem
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Montagem em Superfície
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Pacote / Estojo
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8-SOIC (0,154", Largura de 3,90mm)
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Pacote do Dispositivo do Fornecedor
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8-SO
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Número do Produto Base
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Desenho
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