2SD1781KT146R Transistor NPN 2A 160V com Alto hFE 120-240 625mW Potência Baixo Ruído Diodo Embutido Pacote SOT-89-3 Embalagem Livre de Halogênio Fita e Carretel

2SD1781KT146R 2A 160V NPN Transistor com alta hFE 120-240 625mW Potência Baixo ruído Diodo embutido SOT-89-3 Pacote Faixa e embalagem sem halogênio

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Características

1) VCE (sat) muito baixo. VCE (sat) = 0,1 V (tipo) (IC/IB=500 mA/50 mA)

2) Alta capacidade de corrente em embalagem compacta.

3) Complementa o 2SB1197K.

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Aplicações

Circuitos de controlo de alimentação

Amplificação de Frequência de Áudio

Etapas de condutor para motores e relés

Regulação de tensão e condutores de linha

Comutação e Amplificação de Propósito Geral

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Descrição

O 2SD1781KT146R é um transistor de junção bipolar (BJT) NPN de alta tensão e média potência projetado para aplicações de amplificação e comutação de propósito geral.Encapsulado numa embalagem compacta SOT-89-3 para montagem na superfície, oferece uma combinação robusta de tolerância à tensão, ganho de corrente e capacidade de manuseio de energia.

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Informações

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Desenho

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Lista de produtos
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Circuito integrado, ICs de memória, Diodo, Transistor, Capacitor, Resistor, Varistor, Fuse, Trimmer e Potentiometer, Transformador, Bateria, Cable, Relay, Switch, Connector, Terminal Block,Cristal e amplificadorOscilador, Indutor, Sensor, Transformador, Condutor IGBT, LED, LCD, Convertidor, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte em Marca:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, etc.