Transistor NPN de alta tensão MMBT5551LT1G
Características
- Prefixo S e NSV para aplicações automotivas e outras que exigem requisitos exclusivos de local e mudança de controle; Qualificado AEC-Q101 e compatível com PPAP
- Esses dispositivos são livres de Pb, livres de halogênio/BFR e são compatíveis com RoHS
Aplicativos
- Amplificação de sinal: Usado em pré-amplificadores de áudio, interfaces de sensores e outros estágios de amplificação de pequenos sinais.
- Circuitos de comutação: Ideal para acionar relés, solenóides, LEDs e outras cargas em sistemas de gerenciamento de energia e interfaces lógicas.
- Gerenciamento de energia: Empregado em fontes de alimentação comutadas (SMPS), conversores DC-DC e reguladores de tensão.
- Estágios de driver: usados para armazenar sinais de microcontroladores ou ICs para controlar dispositivos de corrente mais alta.
- Uso para fins gerais: Um componente confiável para produtos eletrônicos de consumo, sistemas de controle industrial, módulos automotivos e equipamentos de telecomunicações.
Descrição
O MMBT5551LT1G é um transistor de junção bipolar NPN (BJT) de alta tensão e uso geral alojado em um pacote de montagem em superfície SOT-23 que economiza espaço. Ele foi projetado para oferecer desempenho robusto em uma ampla variedade de circuitos eletrônicos, combinando capacidade de alta tensão com uma corrente nominal substancial. Este transistor é caracterizado por seu alto ganho de corrente CC, baixa tensão de saturação e rápidas velocidades de comutação. Fabricado com materiais sem halogéneo e sem chumbo, é totalmente compatível com RoHS e outras normas ambientais, tornando-o uma escolha fiável e ecológica para a eletrónica moderna.
Especificações
| Categoria |
Transistores de produtos semicondutores discretos Transistores bipolares simples (BJT) |
| Fabricante |
onsemi |
| Embalagem |
Fita e amplificador; Bobina (TR) Fita Cortada (CT) Digi-Reel® |
| Status da peça |
Ativo |
| Tipo de transistor |
NPN |
| Atual - Coletor (Ic) (Máx.) |
600 mA |
| Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.) |
160V |
| Saturação Vce (Máx.) @ Ib, Ic |
200mV @ 5mA, 50mA |
| Atual - Corte do Coletor (Máx.) |
100nA |
| Ganho de corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 10mA, 5V |
| Potência - Máx. |
225 mW |
| Temperatura operacional |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem |
Montagem em superfície |
| Pacote/Caixa |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor |
SOT-23-3 (TO-236) |
| Número básico do produto |
MMBT5551 |
Desenho
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