IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Fast Switching High Frequency Robust Body Diode High Temp Operation TO-264 Pacote

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Fast Switching High Frequency Robust Body Diode High Temp Operation TO-264 Pacote

Características

• Pacote de padrões internacionais

• MiniBLOC, com isolamento por nitreto de alumínio

• RDS (on) e QG baixos

• Avalanche Classificado

• Indutância de embalagem baixa

• Rectificador interno rápido

Aplicações

• Fontes de alimentação de modo interruptor e de modo ressonante

• Conversores CC-DC

• Dispositivos de condução a laser

• Acionamentos de motores AC e DC

• Robótica e Servocontroles

Descrição

O...IXFN56N90Pé um MOSFET de carburo de silício (SiC) de alta tensão e alta corrente em um pacote TO-264, projetado para oferecer eficiência e desempenho superiores em sistemas de conversão de energia exigentes.Aproveita as vantagens da tecnologia SiC, que oferece uma excelente combinação de uma tensão de ruptura de 900 V e uma corrente contínua de 56 A. A sua baixa resistência em estado de funcionamento (Rds ((on)) de 65 mΩ minimiza as perdas de condução,enquanto as propriedades inerentes do SiC permitem velocidades de comutação extremamente rápidas com baixas perdasIsto reduz o tamanho e o custo dos componentes passivos como os magnéticos e condensadores.O MOSFET possui um diodo intrínseco robusto com excelentes características de recuperação reversaA sua capacidade operacional a altas temperaturas e o seu pacote padrão da indústria tornam-na uma solução robusta e versátil para projetos de energia modernos.

Informações

Desenho

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Lista de produtos
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