IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Fast Switching High Frequency Robust Body Diode High Temp Operation TO-264 Pacote

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Baixo Rds(on) 65mΩ Comutação Rápida Diodo Robusto de Corpo Alta Frequência Operação em Alta Temperatura Pacote TO-264

Características

• Pacote Padrão Internacional

• miniBLOC, com Isolamento de Nitreto de Alumínio

• Baixo RDS(on) e QG

• Avalanche Classificado

• Baixa Indutância do Pacote

• Retificador Intrínseco Rápido

Aplicações

• Fontes de Alimentação de Modo de Comutação e Modo Ressonante

• Conversores DC-DC

• Drivers de Laser

• Acionamentos de Motores AC e DC

• Robótica e Controles Servo

Descrição

O IXFN56N90P é um MOSFET de Carbeto de Silício (SiC) de alta tensão e alta corrente em um pacote TO-264, projetado para oferecer eficiência e desempenho superiores em sistemas de conversão de energia exigentes. Ele aproveita as vantagens da tecnologia SiC, oferecendo uma excelente combinação de uma tensão de ruptura de 900V e uma baixa corrente contínua de 56A. Sua resistência de estado ligado (Rds(on)) muito baixa de 65mΩ minimiza as perdas de condução, enquanto as propriedades inerentes do SiC permitem velocidades de comutação extremamente rápidas com baixas perdas, permitindo a operação em alta frequência. Isso reduz o tamanho e o custo de componentes passivos como magnéticos e capacitores. O MOSFET apresenta um robusto diodo de corpo intrínseco com excelentes características de recuperação reversa, aprimorando sua confiabilidade em aplicações de comutação rígida. Sua capacidade de operação em alta temperatura e o pacote padrão da indústria o tornam uma solução robusta e versátil para projetos de energia modernos.

INFORMAÇÕES

Desenho

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